| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 符号说明 | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| ·半导体纳米线 | 第11-12页 |
| ·半导体纳米线异质结 | 第12-14页 |
| ·论文的结构与安排 | 第14-16页 |
| 参考文献 | 第16-19页 |
| 第二章 纳米线的生长技术 | 第19-37页 |
| ·纳米线的制备技术 | 第19-28页 |
| ·气相法 | 第19-25页 |
| ·基于溶液生长纳米结构 | 第25-27页 |
| ·半导体微结构材料生长和精细加工相结合的制备技术 | 第27-28页 |
| ·纳米材料的表征方法及测试技术 | 第28-33页 |
| ·扫描电子显微镜技术(SEM) | 第28-30页 |
| ·透射电子显微镜技术(TEM) | 第30-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 参考文献 | 第34-37页 |
| 第三章 轴向双异质结纳米线的临界尺寸分析 | 第37-55页 |
| ·低维材料的应力应变模型及位错的弹性理论 | 第37-39页 |
| ·单异质结纳米线的临界尺寸理论及实验研究 | 第39-45页 |
| ·晶格失配衬底上纳米线异质结理论分析 | 第39-40页 |
| ·轴向单异质结纳米线的临界尺寸研究 | 第40-45页 |
| ·双异质结纳米线的应力场分析 | 第45-47页 |
| ·双异质结纳米线的临界尺寸分析 | 第47-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 参考文献 | 第52-55页 |
| 第四章 GaAs/InGaAs/GaAs轴向双异质结纳米线的实验研究 | 第55-63页 |
| ·生长实验方案 | 第56页 |
| ·实验结果分析及讨论 | 第56-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第65页 |