| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 目录 | 第10-12页 |
| 第1章 引言 | 第12-24页 |
| ·ZnO 基材料的基本性质及优势 | 第13-18页 |
| ·ZnO 基量子阱的研究进展 | 第18-21页 |
| ·论文的选题依据和研究内容 | 第21-24页 |
| 第2章 样品的制备与表征方法 | 第24-38页 |
| ·半导体薄膜和金属薄膜的制备 | 第24-32页 |
| ·常用的样品表征手段 | 第32-36页 |
| ·本章小结 | 第36-38页 |
| 第3章 电子束泵浦氧化锌基量子阱的最佳激发电压与斯塔克效应27 | 第38-70页 |
| ·量子阱理论基础 | 第38-44页 |
| ·蒙特卡罗模拟简介 | 第44-45页 |
| ·电子束泵浦氧化锌基量子阱的最佳激发电压 | 第45-59页 |
| ·电子束泵浦下氧化锌基量子阱的斯塔克效应 | 第59-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 第4章 氧化锌基量子阱的超辐射现象与内量子效率 | 第70-92页 |
| ·电子束泵浦器件的研究背景 | 第70-74页 |
| ·非对称双量子阱的研究进展 | 第74-79页 |
| ·电子束泵浦下氧化锌基量子阱的超辐射现象 | 第79-86页 |
| ·氧化锌基非对称双量子阱结构对内量子效率的影响 | 第86-90页 |
| ·本章小结 | 第90-92页 |
| 第5章 合金表面等离子体对氧化锌基材料发光的影响 | 第92-116页 |
| ·电子束物理基础 | 第92-96页 |
| ·等离子体物理基础 | 第96-103页 |
| ·表面等离激元对 MgZnO 薄膜发光的影响 | 第103-110页 |
| ·表面等离激元对 ZnO/MgZnO 量子阱发光的影响 | 第110-114页 |
| ·本章小结 | 第114-116页 |
| 第6章 结论与展望 | 第116-118页 |
| ·结论 | 第116-117页 |
| ·展望 | 第117-118页 |
| 参考文献 | 第118-126页 |
| 在学期间学术成果情况 | 第126-128页 |
| 指导教师及作者简介 | 第128-130页 |
| 致谢 | 第130页 |