| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-17页 |
| §1.1 课题的研究意义 | 第9-11页 |
| §1.2 LDMOS器件简介 | 第11-15页 |
| §1.2.1 LDMOS的结构与特性 | 第11-12页 |
| §1.2.2 LDMOS结构和特性改的进方法 | 第12-15页 |
| §1.3 本文的主要工作 | 第15-17页 |
| 第二章 DMG-LDMOS器件的结构设计与关键工艺的实现 | 第17-29页 |
| §2.1 DMG-LDMOS器件的结构设计 | 第17-23页 |
| §2.1.1 复合栅电极的结构设计 | 第17-18页 |
| §2.1.2 场极板的结构设计 | 第18-20页 |
| §2.1.3 漂移区RESURF原理设计 | 第20-23页 |
| §2.2 DMG-LDMOS器件的工艺设计 | 第23-27页 |
| §2.2.1 金属异质栅电极实现工艺 | 第23-25页 |
| §2.2.2 复合多晶硅栅电极实现工艺 | 第25-26页 |
| §2.2.3 DMG-LDMOS器件的工艺流程 | 第26-27页 |
| §2.3 本章小节 | 第27-29页 |
| 第三章 DMG-LDMOS阈值电压的分析与建模 | 第29-40页 |
| §3.1 DMG-LDMOS阈值电压的模拟与分析 | 第29-33页 |
| §3.1.1 DMG-LDMOS阈值电压与Lg1/Lg2的关系 | 第31-32页 |
| §3.1.2 DMG-LDMOS阈值电压与复合栅功函数差的关系 | 第32-33页 |
| §3.2 DMG-LDMOS阈值电压的经验模型 | 第33-38页 |
| §3.2.1 普通LDMOS阈值电压模型 | 第34-36页 |
| §3.2.2 DMG-LDMOS阈值电压的经验模型 | 第36-38页 |
| §3.3 本章小结 | 第38-40页 |
| 第四章 DMG-LDMOS电学特性分析 | 第40-60页 |
| §4.1 直流特性分析 | 第40-49页 |
| §4.1.1 DMG-LDMOS电势与电场分布 | 第40-44页 |
| §4.1.2 DMG-LDMOS载流子速度分布 | 第44-46页 |
| §4.1.3 DMG-LDMOS导通电阻与击穿电压 | 第46-49页 |
| §4.2 交流特性分析 | 第49-58页 |
| §4.2.1 LDMOS频率特性简介 | 第50-51页 |
| §4.2.2 DMG-LDMOS跨导特性 | 第51-53页 |
| §4.2.3 DMG-LDMOS电容特性 | 第53-55页 |
| §4.2.4 DMG-LDMOS截止频率 | 第55-58页 |
| §4.3 本章小结 | 第58-60页 |
| 第五章 总结 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第68页 |
