| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第1章 引言 | 第11-21页 |
| ·X射线光学简介 | 第11-13页 |
| ·多层膜的发展和应用 | 第13-15页 |
| ·窄带多层膜的发展和应用 | 第15-19页 |
| ·本论文主要研究内容 | 第19-21页 |
| 第2章 多层膜的基本理论和制备技术 | 第21-38页 |
| ·极紫外和软 X射线多层膜材料的光学常数 | 第21页 |
| ·多层膜的反射率 | 第21-25页 |
| ·极紫外和软X射线在理想多层膜中的反射 | 第22-25页 |
| ·极紫外和软X射线在非理想多层膜中的反射 | 第25页 |
| ·多层膜的选材原则 | 第25-27页 |
| ·提高多层膜光谱分辨率的原理及方法 | 第27-29页 |
| ·多层膜的制备 | 第29-37页 |
| ·磁控溅射法 | 第29-30页 |
| ·磁控溅射设备简介 | 第30-32页 |
| ·多层膜制备工艺 | 第32-33页 |
| ·速率的标定 | 第33-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第3章 多层膜光栅的设计、制备及测试 | 第38-68页 |
| ·刻蚀多层膜提高光谱分辨率的原理 | 第38页 |
| ·W/C多层膜光栅的设计、制备及测试 | 第38-48页 |
| ·W/C多层膜光栅性能模拟计算 | 第38-41页 |
| ·W/C多层膜的制备 | 第41-42页 |
| ·刻蚀W/ C多层膜 | 第42-48页 |
| ·离子束刻蚀的原理 | 第42-43页 |
| ·离子束刻蚀工艺 | 第43-44页 |
| ·离子束刻蚀设备 | 第44页 |
| ·离子束刻蚀定标 | 第44-45页 |
| ·刻蚀正式多层膜样品 | 第45-46页 |
| ·测试及分析 | 第46-48页 |
| ·Mo/Si多层膜光栅的设计、制备及测试 | 第48-67页 |
| ·Mo/Si多层膜光栅性能模拟计算 | 第48-51页 |
| ·Mo/Si多层膜的制备 | 第51页 |
| ·刻蚀Mo/Si多层膜 | 第51-67页 |
| ·反应离子刻蚀的原理 | 第51-52页 |
| ·反应离子刻蚀工艺 | 第52-53页 |
| ·反应离子刻蚀设备 | 第53页 |
| ·反应离子刻蚀定标 | 第53-54页 |
| ·刻蚀正式多层膜样品 | 第54页 |
| ·测试及分析 | 第54-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 第4章 低原子序数材料对的设计、制备及测试 | 第68-93页 |
| ·14nm处不同材料近正入射多层膜的设计、制备及测试 | 第68-75页 |
| ·14nm处Si/C、Si/B_4C、Si/SiC和Mo/Si多层膜性能模拟计算 | 第68-70页 |
| ·14nm处Si/C、Si/B_4C、Si/Sic和Mo/Si多层膜制备、测试及分析 | 第70-75页 |
| ·30.4nm处不同材料组合多层膜的设计、制备及测试 | 第75-84页 |
| ·30.4nm处Si/C、Si/B_4C、Si/Mo/B_4C、Si/SiC、Mo/Si和Mg/SiC多层膜性能模拟计算 | 第75-78页 |
| ·30.4nmSi/C、Si/B_4C、Si/Mo/B_4C、Si/SiC、Mo/Si和Mg/SiC多层膜制备、测试及分析 | 第78-84页 |
| ·高能用 W/B_4C、Si/SiC、B_4C/SiC、C/SiC多层膜研制 | 第84-92页 |
| ·本章小结 | 第92-93页 |
| 第5章 高级次 Mo/Si多层膜的设计、制备及测试 | 第93-113页 |
| ·高级次窄带宽 Mo/Si多层膜性能模拟计算 | 第93-97页 |
| ·高级次窄带宽 Mo/Si多层膜制备 | 第97-107页 |
| ·高级次窄带宽 Mo/Si多层膜测试及分析 | 第107-112页 |
| ·本章小结 | 第112-113页 |
| 第6章 全文总结 | 第113-116页 |
| ·本文主要结论 | 第113-114页 |
| ·论文主要创新点 | 第114-115页 |
| ·需要进一步解决的问题 | 第115-116页 |
| 致谢 | 第116-117页 |
| 参考文献 | 第117-125页 |
| 个人简历 在读期间发表的学术论文与研究成果 | 第125-126页 |
