| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-15页 |
| ·TDI CCD 的应用情况 | 第10-11页 |
| ·TDI CCD 技术进展 | 第11-14页 |
| ·研制的目的、意义和用途 | 第14-15页 |
| 第二章 TDI CCD 器件工作原理 | 第15-29页 |
| ·TDI CCD 基本工作原理 | 第15-24页 |
| ·CCD 的MOS 单元结构 | 第15-17页 |
| ·CCD 电荷的产生 | 第17-18页 |
| ·电荷的存储 | 第18-19页 |
| ·电荷的转移 | 第19-21页 |
| ·光电荷的输出 | 第21-24页 |
| ·CCD 结构分类 | 第24-27页 |
| ·线阵CCD | 第24-25页 |
| ·面阵CCD | 第25-27页 |
| ·TDI CCD 结构 | 第27-29页 |
| 第三章 2048×96 TDI CCD 设计 | 第29-47页 |
| ·2048×96 TDI CCD 结构特点 | 第29页 |
| ·采用TDI 结构 | 第29页 |
| ·TDI 级数可调 | 第29页 |
| ·2048×96 TDI CCD 性能特点 | 第29-30页 |
| ·灵敏度高 | 第29页 |
| ·信噪比大 | 第29-30页 |
| ·2048×96 TDI CCD 结构设计 | 第30-36页 |
| ·TDI 级数选通电路的设计 | 第33页 |
| ·TDI 设计 | 第33-35页 |
| ·水平CCD 移位寄存器结构设计 | 第35-36页 |
| ·2048×96 TDI CCD 参数设计 | 第36-47页 |
| ·基本理论 | 第36-40页 |
| ·满阱电荷及饱和输出电压 | 第40-41页 |
| ·电荷转换效率 | 第41-42页 |
| ·量子效率 | 第42-44页 |
| ·转移效率 | 第44-45页 |
| ·均方根噪声 | 第45-46页 |
| ·动态范围 | 第46-47页 |
| 第四章 2048×96 TDI CCD 关键工艺技术 | 第47-63页 |
| ·多路输出均匀性和一致性技术 | 第47-56页 |
| ·设计考虑 | 第47-49页 |
| ·工艺考虑 | 第49-56页 |
| ·抗辐照制作技术 | 第56-59页 |
| ·关键技术对产品性能的影响 | 第56-57页 |
| ·采用的抗辐照方案实施情况及结果 | 第57-59页 |
| ·提高成品率技术 | 第59-63页 |
| ·降低离子注入引起的损伤 | 第60页 |
| ·降低等离子刻蚀引起的工艺损伤 | 第60-61页 |
| ·降低磁控溅射铝工艺引起的损伤 | 第61页 |
| ·选定的方案及结果 | 第61-63页 |
| 第五章 参数测试 | 第63-82页 |
| ·饱和输出电压 | 第64-66页 |
| ·测试原理 | 第64-65页 |
| ·测试步骤 | 第65页 |
| ·测试结果 | 第65-66页 |
| ·动态范围 | 第66-68页 |
| ·测试原理 | 第66页 |
| ·测试步骤 | 第66-67页 |
| ·测试结果 | 第67-68页 |
| ·转移效率 | 第68-71页 |
| ·测试原理 | 第68页 |
| ·测试步骤 | 第68-70页 |
| ·测试结果 | 第70-71页 |
| ·电荷转换效率 | 第71-73页 |
| ·测试原理 | 第71-72页 |
| ·测试步骤 | 第72页 |
| ·测试结果 | 第72-73页 |
| ·相对光谱响应范围 | 第73-74页 |
| ·测试原理 | 第73-74页 |
| ·测试步骤 | 第74页 |
| ·光响应非均匀性 | 第74-76页 |
| ·测试原理 | 第74-75页 |
| ·测试步骤 | 第75-76页 |
| ·暗信号幅度 | 第76-77页 |
| ·测试原理 | 第76页 |
| ·测试步骤 | 第76-77页 |
| ·暗信号非均匀性 | 第77-78页 |
| ·测试原理 | 第77页 |
| ·测试步骤 | 第77-78页 |
| ·瞬态噪声 | 第78-79页 |
| ·测试原理 | 第78-79页 |
| ·测试步骤 | 第79页 |
| ·缺陷 | 第79-80页 |
| ·测试原理 | 第79页 |
| ·测试步骤 | 第79-80页 |
| ·响应度 | 第80-82页 |
| ·测试原理 | 第80-81页 |
| ·测试步骤 | 第81-82页 |
| 第六章 结论 | 第82-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-87页 |