| 第1章 绪论 | 第1-20页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·非晶硅薄膜 | 第10-14页 |
| ·非晶硅的结构 | 第10-11页 |
| ·非晶硅材料的能带结构和电学性能 | 第11-13页 |
| ·非晶硅薄膜的制备 | 第13页 |
| ·非晶硅薄膜太阳能电池的发展状况 | 第13-14页 |
| ·多晶硅薄膜 | 第14-18页 |
| ·多晶硅薄膜概述 | 第14-15页 |
| ·多晶硅薄膜的制备方法 | 第15-18页 |
| ·选题的目的及研究内容 | 第18-20页 |
| 第2章 薄膜制备方法 | 第20-31页 |
| ·等离子增强化学气相沉积(PECVD)法 | 第20-26页 |
| ·PECVD过程的动力学 | 第21-22页 |
| ·PECVD实验反应装置 | 第22-26页 |
| ·磁控溅射(Magnetron Sputtering)法 | 第26-28页 |
| ·金属诱导晶化法 | 第28-31页 |
| 第3章 实验设计 | 第31-34页 |
| ·非晶硅薄膜的制备 | 第31页 |
| ·金属诱导薄膜的制备 | 第31-32页 |
| ·非晶硅薄膜的晶化实验 | 第32页 |
| ·薄膜微观结构及性能表征 | 第32-34页 |
| ·X射线衍射(XRD)分析 | 第33页 |
| ·扫描电镜(SEM)分析 | 第33页 |
| ·薄膜厚度及透过率测试 | 第33页 |
| ·拉曼(Raman)光谱 | 第33页 |
| ·高分辨透射电镜(HRTEM) | 第33-34页 |
| 第4章 非晶硅薄膜的制备及性能研究 | 第34-46页 |
| ·非晶硅薄膜的制备 | 第34-42页 |
| ·PECVD法制备非晶硅的反应机理 | 第34-35页 |
| ·气体流量比对非晶硅薄膜吸收率的影响 | 第35-37页 |
| ·辉光功率对非晶硅薄膜吸收率的影响 | 第37-39页 |
| ·衬底温度对非晶硅薄膜吸收率的影响 | 第39-40页 |
| ·辉光气压对非晶硅薄膜吸收率的影响 | 第40-42页 |
| ·掺杂非晶硅薄膜的制备及性能表征 | 第42-45页 |
| ·掺磷非晶硅薄膜的制备 | 第42-43页 |
| ·掺硼非晶硅薄膜的制备 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第5章 金属铝诱导非晶硅薄膜的晶化研究 | 第46-69页 |
| ·晶化温度对非晶硅薄膜晶化的影响 | 第46-50页 |
| ·XRD分析 | 第47-48页 |
| ·Raman分析 | 第48-49页 |
| ·形貌分析 | 第49-50页 |
| ·铝膜厚度对非晶硅薄膜晶化的影响 | 第50-54页 |
| ·XRD分析 | 第51页 |
| ·Raman分析 | 第51-52页 |
| ·形貌分析 | 第52-54页 |
| ·晶化时间对非晶硅薄膜晶化的影响 | 第54-58页 |
| ·XRD分析 | 第55-56页 |
| ·Raman分析 | 第56页 |
| ·形貌分析 | 第56-58页 |
| ·a-Si：H／Al／Glass夹层结构对非晶硅薄膜晶化的影响 | 第58-61页 |
| ·XRD分析 | 第58-59页 |
| ·Raman分析 | 第59-60页 |
| ·形貌分析 | 第60-61页 |
| ·不同参数变化对非晶硅薄膜晶化的影响 | 第61-66页 |
| ·XRD分析 | 第62-63页 |
| ·Raman分析 | 第63页 |
| ·形貌分析 | 第63-65页 |
| ·HRTEM分析 | 第65-66页 |
| ·本章小结 | 第66-69页 |
| 第6章 金属镍诱导非晶硅薄膜的晶化研究 | 第69-75页 |
| ·不同晶化温度和时间下镍诱导非晶硅薄膜的晶化 | 第69-71页 |
| ·XRD分析 | 第70页 |
| ·Raman分析 | 第70-71页 |
| ·SEM分析 | 第71页 |
| ·不同晶化时间镍诱导非晶硅薄膜的晶化 | 第71-74页 |
| ·XRD分析 | 第72-73页 |
| ·Raman分析 | 第73-74页 |
| ·形貌分析 | 第74页 |
| ·本章小结 | 第74-75页 |
| 第7章 结论 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第81页 |