| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-15页 |
| ·课题的研究背景 | 第12-13页 |
| ·课题研究过程中完成的主要工作 | 第13-14页 |
| ·本课题的研究成果 | 第14页 |
| ·论文的组织结构 | 第14-15页 |
| 第二章 短沟MOSFET阈值电压简化模型 | 第15-33页 |
| ·MOS结构及其基本性质 | 第15-23页 |
| ·理想的大尺寸MOSFET阈值电压模型 | 第23-28页 |
| ·非均匀掺杂MOSFET | 第28-29页 |
| ·电荷分享模型 | 第29-31页 |
| ·短沟MOSFET简化模型 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 基于典型的1um 5V CMOS工艺的模拟及其模拟结果 | 第33-42页 |
| ·数据的提取 | 第33-36页 |
| ·结论及分析 | 第36-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 0.8um 5V CMOS器件阈值电压优化设计方案 | 第42-49页 |
| ·影响短沟效应的因素 | 第42-43页 |
| ·0.8um 5V CMOS阈值电压优化设计初步方案 | 第43-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 结束语 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 附录: 作者在学期间取得的学术成果 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-53页 |