| 第一章 绪论 | 第1-22页 |
| ·微电子技术的发展历程 | 第12-15页 |
| ·砷化镓场效应晶体管 | 第15-20页 |
| ·砷化镓的材料属性 | 第15-16页 |
| ·砷化镓场效应管的发展历程 | 第16-19页 |
| ·砷化镓场效应晶体管的应用 | 第19-20页 |
| ·本篇论文研究的主要工作 | 第20-22页 |
| 第二章 亚微米GaAs PHEMT 的结构设计与优化 | 第22-50页 |
| ·GaAs PHEMT 器件的纵向结构设计 | 第22-46页 |
| ·GaAs PHEMT 的基本层结构 | 第23-26页 |
| ·PHEMT 器件的电流-电压特性 | 第26-31页 |
| ·PHEMT 器件的电荷控制模型 | 第31-46页 |
| ·GaAs PHEMT 器件的横向结构设计 | 第46-49页 |
| ·GaAs PHEMT 的横向结构形式 | 第47-48页 |
| ·GaAs PHEMT 的横向结构优化设计 | 第48-49页 |
| ·本章小结 | 第49-50页 |
| 第三章 GaAs PHEMT 的工艺设计 | 第50-72页 |
| ·GaAs PHEMT 的版图设计 | 第50-53页 |
| ·版图设计规则 | 第50-52页 |
| ·GaAs PHEMT 的版图 | 第52-53页 |
| ·GaAs PHEMT 的工艺设计 | 第53-66页 |
| ·GaAs PHEMT 的基本工艺流程 | 第54-58页 |
| ·关键工艺分析 | 第58-66页 |
| ·GaAs PHEMT 的流水结果及测试 | 第66-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 第四章 GaAs PHEMT 小信号模型提取 | 第72-99页 |
| ·GaAs PHEMT 器件模型的研究意义和分类 | 第72-73页 |
| ·PHEMT 小信号模型的研究目标和方案设计 | 第73-77页 |
| ·研究目标 | 第73页 |
| ·方案设计 | 第73-75页 |
| ·在片测试技术 | 第75-77页 |
| ·GaAs PHEMT 的小信号建模 | 第77-94页 |
| ·常用的小信号等效电路模型 | 第77-80页 |
| ·小信号建模的一般历程 | 第80-81页 |
| ·PHEMT 器件的小信号模型 | 第81-94页 |
| ·GaAs PHEMT小信号模型的验证 | 第94-95页 |
| ·模型的应用 | 第95-98页 |
| ·本章小结 | 第98-99页 |
| 第五章 展望 | 第99-101页 |
| ·本篇论文工作的主要内容 | 第99-100页 |
| ·对进一步研究工作的展望 | 第100-101页 |
| 致谢 | 第101-102页 |
| 参考文献 | 第102-106页 |
| 发表文章目录 | 第106页 |