| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第一章 文献综述 | 第9-22页 |
| ·声表面波技术与声表面波器件 | 第9-14页 |
| ·SAW 技术的发展 | 第9-10页 |
| ·SAWF 结构原理与应用发展 | 第10-13页 |
| ·SAWF 的发展趋势 | 第13-14页 |
| ·金刚石/压电薄膜/IDT 多层膜高频 SAW 器件 | 第14-20页 |
| ·金刚石/ 压电薄膜/IDT 高频 SAW 器件的原理和结构 | 第15-17页 |
| ·高频 SAW 器件压电薄膜 | 第17-19页 |
| ·高频金刚石 SAW 器件的研究现状 | 第19-20页 |
| ·本文的立项依据和主要工作 | 第20-22页 |
| 第二章 SAW 用氧化锌薄膜材料的特性及制备方法 | 第22-32页 |
| ·ZnO 薄膜材料 | 第22-24页 |
| ·ZnO 压电薄膜的制备技术 | 第24-29页 |
| ·射频磁控溅射原理 | 第24-27页 |
| ·溅射过程 | 第27-29页 |
| ·ZnO 压电薄膜的制备工艺 | 第29-32页 |
| ·氧化锌陶瓷靶 | 第29-30页 |
| ·衬低清洗 | 第30页 |
| ·薄膜制备 | 第30页 |
| ·薄膜的测试分析手段 | 第30-32页 |
| 第三章 硅衬底上氧化锌压电薄膜的制备与表征 | 第32-63页 |
| ·衬低温度对 ZnO 薄膜性能影响 | 第32-38页 |
| ·ZnO 薄膜的 X 射线分析 | 第32-36页 |
| ·ZnO 薄膜的原子力显微镜分析 | 第36-38页 |
| ·氧氩气氛比对 ZnO 薄膜性能影响 | 第38-43页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第39-41页 |
| ·AFM 分析 | 第41-43页 |
| ·溅射压力对薄膜性能的影响 | 第43-48页 |
| ·溅射功率对薄膜性能的影响 | 第48-54页 |
| ·XRD 分析表征 | 第48-51页 |
| ·对表面形貌的分析 | 第51-54页 |
| ·溅射功率对薄膜沉积速率的影响 | 第54页 |
| ·靶距对薄膜性能影响 | 第54-56页 |
| ·后处理对薄膜性能的影响 | 第56-62页 |
| ·不同退火温度的 X 射线衍射分析 | 第57-59页 |
| ·不同退火温度 ZnO 薄膜表面形貌分析 | 第59-60页 |
| ·不同退火温度薄膜的电阻率分析 | 第60-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第四章 金刚石衬底氧化锌压电薄膜的制备与表征 | 第63-77页 |
| ·金刚石衬底性能 | 第63-67页 |
| ·金刚石的基本结构与性质 | 第63-64页 |
| ·金刚石衬底的测试表征 | 第64-67页 |
| ·金刚石衬底上氧化锌薄膜的制备与表征 | 第67-75页 |
| ·ZnO 薄膜样品的制备 | 第67-68页 |
| ·不同溅射功率对薄膜的影响 | 第68-70页 |
| ·不同退火温度对薄膜的影响 | 第70-75页 |
| ·ZnO/IDT/金刚石多层膜结构滤波器研制 | 第75-76页 |
| ·本章小结 | 第76-77页 |
| 第五章 硅衬底上铌酸锂压电薄膜沉积初探 | 第77-84页 |
| ·铌酸锂薄膜性能 | 第77-79页 |
| ·铌酸锂 LiNbO3 的结构及特性 | 第77-79页 |
| ·薄膜制备及性能分析 | 第79-84页 |
| ·靶材制备 | 第79-80页 |
| ·薄膜制备和性能分析 | 第80-84页 |
| 第六章 结论 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-89页 |
| 攻读硕士学位期间参与科研项目及发表论文情况 | 第89-90页 |
| 致谢 | 第90-91页 |