| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 绪论 | 第8-31页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 二维材料 | 第9-15页 |
| 1.3 忆阻器 | 第15-22页 |
| 1.4 国内外研究概况 | 第22-30页 |
| 1.5 本论文的选题依据和主要研究内容 | 第30-31页 |
| 2 实验部分 | 第31-35页 |
| 2.1 引言 | 第31页 |
| 2.2 实验药品及仪器 | 第31-32页 |
| 2.3 仪器表征 | 第32-34页 |
| 2.4 实验步骤 | 第34-35页 |
| 3 二维材料碲化钼的制备及电学性能 | 第35-45页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 实验部分 | 第35-36页 |
| 3.3 MoTe_2的表征 | 第36-41页 |
| 3.4 新样品1T'相与2H相MoTe_2的忆阻性能测试 | 第41-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 4 氧化碲化钼的忆阻性能及应用 | 第45-63页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 实验步骤 | 第45页 |
| 4.3 表征方法 | 第45-49页 |
| 4.4 自然氧化MoTe_2的忆阻性能 | 第49-52页 |
| 4.5 经过退火氧化的MoTe_2的忆阻性能 | 第52-58页 |
| 4.6 空气中自然氧化的MoTe_2的神经模拟测试 | 第58-60页 |
| 4.7 2H相 MoTe_2忆阻器机理分析 | 第60-61页 |
| 4.8 本章小结 | 第61-63页 |
| 5 全文总结与展望 | 第63-65页 |
| 5.1 全文总结 | 第63-64页 |
| 5.2 课题展望 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-75页 |
| 攻读学位期间发表论文 | 第75页 |