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纳米In2O3气敏性能及其气敏机理研究

1 前言第1-29页
   ·气体传感器概述第12-13页
   ·气体传感器的应用第13-14页
   ·In_2O_3基半导体气体传感器研究现状第14-17页
     ·CO气体传感器第15页
     ·O_3传感器第15-16页
     ·NO_2气体传感器第16-17页
     ·其他In_2O_3基气体传感器第17页
     ·本节小结第17页
   ·超细气敏材料的制备方法简介第17-19页
     ·气相化学反应法第18页
     ·液相化学反应法第18-19页
   ·半导体气体传感器的主要技术指标第19-20页
   ·半导体气体传感器中存在的主要问题和发展方向第20-21页
   ·本课题研究内容第21-29页
2 合成纳米粒子的W/O型微乳液体系的相行为研究第29-43页
   ·前言第29-30页
   ·实验第30-32页
   ·结果与讨论第32-40页
     ·表面活性剂的选择第32页
     ·临界点的判断第32-33页
     ·助表面活性剂对W/O微乳液区域的影响第33-36页
     ·油的种类对微乳液区域的影响第36-38页
     ·温度对W/O微乳液区域的影响第38-39页
     ·盐度对W/O微乳液相区的影响第39-40页
     ·pH值对微乳液区域的影响第40页
   ·本章小结第40-43页
3 纳米In_2O_3合成及表征第43-62页
   ·前言第43页
   ·实验第43-46页
   ·结果与讨论第46-59页
     ·合成纳米In_2O_3的微乳液选择第46-48页
     ·傅立叶红外光谱分析第48-49页
     ·样品的差热-热重分析第49-50页
     ·In_2O_3粉体的X射线衍射分析第50-51页
     ·影响In_2O_3形貌和粒度的因素第51-59页
   ·本章小结第59-62页
4 纳米In_2O_3的气敏性能与催化性能研究第62-76页
   ·前言第62-63页
   ·实验第63-65页
   ·结果与讨论第65-74页
     ·In_2O_3的粒径对元件气敏性能的影响第65-68页
     ·In_2O_3粒径对催化活性的影响以及气敏材料的气敏机理分析第68-74页
   ·本章小结第74-76页
5 掺杂对In_2O_3的气敏性能和催化性能的影响第76-94页
   ·前言第76-77页
   ·实验第77页
   ·结果与讨论第77-92页
     ·掺杂对元件的气敏性能影响第77-80页
     ·掺杂贵金属对i-C_4H_(10)反应的影响及其气敏机理第80-82页
     ·掺杂金属氧化物对i-C_4H_(10)反应的影响及其气敏机理第82-84页
     ·掺杂贵金属对乙醇反应的影响及其气敏机理第84-88页
     ·掺杂金属氧化物对乙醇的反应和灵敏度的影响第88-92页
   ·本章小结第92-94页
6 In_2O_3基热线型可燃气体气敏元件的研究第94-106页
   ·前言第94页
   ·实验第94-96页
   ·结果与讨论第96-104页
     ·热线型气敏元件气敏机理分析第96-100页
     ·热线型可燃气体气敏元件的气敏性能第100-104页
   ·本章小结第104-106页
7 In_2O_3基热线型C_2H_5OH气敏元件研究第106-117页
   ·前言第106-107页
   ·实验第107页
   ·结果讨论第107-115页
     ·掺杂Pt对热线型乙醇气敏元件恢复时间的影响第107-109页
     ·In_2O_3基热线型C_2H_5OH气敏元件的气敏性能第109-112页
     ·In_2O_3基热线型C_2H_5OH气敏元件的气敏机理第112-115页
   ·本章小结第115-117页
8 高选择性的In_2O_3基热线型H_2气敏元件第117-127页
   ·前言第117页
   ·实验第117-118页
   ·结果与讨论第118-125页
     ·元件的表面修饰第118-120页
     ·元件的气敏性能第120-124页
     ·选择性H_2气敏元件的气敏机理第124-125页
   ·本章小结第125-127页
9 低功耗LPG气敏元件的研究第127-135页
   ·前言第127页
   ·实验第127-129页
   ·结果与讨论第129-133页
     ·低功耗LPG气敏元件的性能第129-131页
     ·低功耗LPG元件的气敏机理第131-133页
   ·本章小结第133-135页
10 本文结论与展望第135-138页
   ·本文结论第135-137页
   ·工作展望第137-138页
已发表和投递的论文:第138-139页
致谢第139页

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