| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·光伏产业多晶硅材料的制备 | 第10-12页 |
| ·太阳电池用多晶硅的特点 | 第12-15页 |
| ·定向凝固提纯多晶硅对坩埚的要求 | 第15-17页 |
| ·表面改性技术对材料的要求 | 第17-18页 |
| ·本文的研究内容与创新点 | 第18-21页 |
| 第二章 实验设计 | 第21-33页 |
| ·实验原料与设备 | 第21-24页 |
| ·实验原料 | 第21-22页 |
| ·样品制备设备 | 第22-23页 |
| ·分析检测设备 | 第23-24页 |
| ·实验原理 | 第24-28页 |
| ·晶体生长基础 | 第24-26页 |
| ·定向凝固原理 | 第26-28页 |
| ·改性材料的选择依据 | 第28-29页 |
| ·实验方案与步骤 | 第29-33页 |
| ·不同冷凝速率对铸造多晶硅性能的影响实验方案 | 第29-30页 |
| ·不同纯度的原料所得多晶硅锭的性能比较 | 第30-33页 |
| 第三章 坩埚表面改性对定向凝固提纯多晶硅组织结构的影响 | 第33-63页 |
| ·概述 | 第33-34页 |
| ·实验部分 | 第34-35页 |
| ·实验结果与分析 | 第35-61页 |
| ·晶体宏观生长形貌分析 | 第35-38页 |
| ·缺陷密度分析 | 第38-43页 |
| ·位错密度分析 | 第43-46页 |
| ·定向凝固提纯多晶硅中的晶界 | 第46-59页 |
| ·冶金法多晶硅的择优生长取向 | 第59-61页 |
| ·本章小结 | 第61-63页 |
| 第四章 坩埚表面改性对定向凝固提纯多晶硅材料电学性能的影响研究 | 第63-74页 |
| ·概述 | 第63页 |
| ·实验设备与原理 | 第63-64页 |
| ·实验结果与分析 | 第64-70页 |
| ·坩埚表面改性对定向凝固提纯多晶硅少子寿命的影响 | 第64-68页 |
| ·坩埚表面改性对定向凝固提纯多晶硅锭电阻率的影响 | 第68-70页 |
| ·不同纯度原料在表面改性后坩埚内硅锭的电学性能比较 | 第70-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 第五章 结论与展望 | 第74-76页 |
| ·结论 | 第74-75页 |
| ·展望与建议 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-83页 |
| 附录 攻读硕士期间的学术成果及获得奖励 | 第83页 |
