基于硅纳米晶体的晶体管型光电神经突触器件研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第10-36页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 神经突触器件 | 第11-27页 |
| 1.2.1 神经突触器件概述 | 第11-13页 |
| 1.2.2 神经突触器件工作原理 | 第13-17页 |
| 1.2.3 神经突触器件的分类 | 第17-27页 |
| 1.2.3.1 工作原理分类 | 第17-25页 |
| 1.2.3.2 器件结构分类 | 第25-27页 |
| 1.3 硅纳米晶体概述 | 第27-33页 |
| 1.3.1 硅纳米晶体的性质 | 第27-29页 |
| 1.3.2 硅纳米晶体的掺杂 | 第29-33页 |
| 1.4 选题依据及主要研究内容 | 第33-36页 |
| 第二章 实验内容和测试仪器 | 第36-42页 |
| 2.1 冷等离子体制备硅纳米晶体 | 第36-38页 |
| 2.2 表征设备 | 第38-42页 |
| 2.2.1 光学显微镜 | 第38页 |
| 2.2.2 紫外可见-近红外分光光度计 | 第38页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第38页 |
| 2.2.4 场发射透射电子显微镜(TEM) | 第38-39页 |
| 2.2.5 光电测试 | 第39-42页 |
| 第三章 器件的制备与电刺激的突触可塑性 | 第42-50页 |
| 3.1 器件的表征 | 第42页 |
| 3.2 掺硼纳米晶体的表征 | 第42-44页 |
| 3.3 器件的电刺激突触可塑性 | 第44-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 基于硅纳米晶体神经突触器件的光电耦合刺激 | 第50-66页 |
| 4.1 光刺激下的突触可塑性 | 第50-54页 |
| 4.2 STDP及其应用 | 第54-58页 |
| 4.3 神经拟态计算系统集成 | 第58-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第五章 全文总结 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-80页 |
| 致谢 | 第80-82页 |
| 个人简历 | 第82-84页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第84页 |
