| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-35页 |
| 1.1 二维半导体简介 | 第9-13页 |
| 1.1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.1.2 二维过渡金属硫族化合物(TMDs) | 第10-12页 |
| 1.1.3 二硒化钨(WSe2) | 第12-13页 |
| 1.2 铁电材料简介 | 第13-17页 |
| 1.2.1 铁电材料 | 第13-14页 |
| 1.2.2 铁电聚合物P(VDF-TrFE)及薄膜 | 第14-15页 |
| 1.2.3 弛豫铁电聚合物P(VDF-TrFE-CFE)薄膜 | 第15-17页 |
| 1.3 二维半导体器件研究进展 | 第17-25页 |
| 1.3.1 二维材料晶体管 | 第17-18页 |
| 1.3.2 整流器件 | 第18-20页 |
| 1.3.3 光电探测器 | 第20-22页 |
| 1.3.4 WSe_2的掺杂 | 第22-24页 |
| 1.3.5 铁电聚合物与二维材料 | 第24-25页 |
| 1.4 二维半导体器件理论基础 | 第25-32页 |
| 1.4.1 场效应晶体管 | 第25-26页 |
| 1.4.2 能带结构与肖特基势垒 | 第26-30页 |
| 1.4.3 载流子迁移率 | 第30-31页 |
| 1.4.4 光电效应 | 第31-32页 |
| 1.5 本课题研究的内容及意义 | 第32-35页 |
| 第二章 实验材料与器件制备 | 第35-43页 |
| 2.1 实验所需仪器 | 第35-36页 |
| 2.2 二维材料转移与器件制备 | 第36-39页 |
| 2.2.1 衬底的制备 | 第36页 |
| 2.2.2 二维材料的制备与转移 | 第36-37页 |
| 2.2.3 P(VDF-TrFE-CFE)薄膜的制备 | 第37-38页 |
| 2.2.4 器件的制备 | 第38-39页 |
| 2.3 器件的表征 | 第39-42页 |
| 2.3.1 光学显微镜表征 | 第39-40页 |
| 2.3.2 原子力显微镜(AFM)表征 | 第40-41页 |
| 2.3.3 拉曼光谱表征 | 第41-42页 |
| 2.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第三章 P(VDF-TrFE-CFE)增强的P型WSe_2场效应晶体管 | 第43-55页 |
| 3.1 引言 | 第43页 |
| 3.2 P(VDF-TrFE-CFE)对WSe_2的P型掺杂 | 第43-48页 |
| 3.2.1 器件结构与表征 | 第43-45页 |
| 3.2.2 输出特性与转移特性 | 第45-47页 |
| 3.2.3 能带结构 | 第47-48页 |
| 3.3 P(VDF-TrFE-CFE)对WSe_2沟道的调控 | 第48-53页 |
| 3.3.1 器件结构 | 第48-49页 |
| 3.3.2 P(VDF-TrFE-CFE)顶栅调控特性 | 第49-50页 |
| 3.3.3 P(VDF-TrFE-CFE)转变过程对沟道的影响 | 第50-53页 |
| 3.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 第四章 P(VDF-TrFE-CFE)增强的多态整流器 | 第55-65页 |
| 4.1 引言 | 第55页 |
| 4.2 多态整流器件 | 第55-63页 |
| 4.2.1 新型器件结构 | 第55-57页 |
| 4.2.2 P(VDF-TrFE-CFE)对WSe_2极性的调控 | 第57-58页 |
| 4.2.3 多态可调整流特性 | 第58-61页 |
| 4.2.4 光电调控下的整流特性 | 第61-63页 |
| 4.3 本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 个人简历 | 第75-77页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文与取得的其他科研成果 | 第77页 |
