摘要 | 第4-6页 |
abstract | 第6-7页 |
第1章 引言 | 第15-38页 |
1.1 课题研究背景及意义 | 第15-22页 |
1.1.1 单粒子效应 | 第16-18页 |
1.1.2 单粒子效应带来的挑战 | 第18-22页 |
1.2 单粒子效应对SoC芯片的影响 | 第22-27页 |
1.2.1 逻辑单元的单粒子效应 | 第23-24页 |
1.2.2 存储单元的单粒子效应 | 第24-27页 |
1.3 国内外研究现状 | 第27-35页 |
1.3.1 逻辑单元的单粒子效应研究 | 第27-30页 |
1.3.2 存储单元的单粒子效应探测研究 | 第30-34页 |
1.3.3 存在的问题 | 第34-35页 |
1.4 论文主要研究内容 | 第35-37页 |
1.5 论文结构安排 | 第37-38页 |
第2章 基于压缩感知的逻辑单元单粒子效应探测技术研究 | 第38-59页 |
2.1 压缩感知理论概述 | 第39-43页 |
2.1.1 信号稀疏表示 | 第40-41页 |
2.1.2 观测矩阵 | 第41-42页 |
2.1.3 重构算法 | 第42-43页 |
2.2 单粒子效应观测模型的建立 | 第43-45页 |
2.2.1 信号的物理意义映射 | 第43-44页 |
2.2.2 观测模型建立 | 第44-45页 |
2.3 非相关观测方法及可测性设计 | 第45-52页 |
2.3.1 非相关观测方法 | 第45-51页 |
2.3.2 测试向量生成方法 | 第51-52页 |
2.4 非相关观测系统的搭建 | 第52-58页 |
2.5 本章小结 | 第58-59页 |
第3章 单粒子效应敏感单元重构方法研究 | 第59-78页 |
3.1 无噪声环境下的敏感点重构 | 第60-66页 |
3.2 噪声环境下的敏感点重构 | 第66-72页 |
3.3 仿真验证与分析 | 第72-77页 |
3.4 本章小结 | 第77-78页 |
第4章 基于数据相关性分析的存储器错误定位和修复 | 第78-90页 |
4.1 数据相关性分析方法概述 | 第78-80页 |
4.2 建立数据相关性表示模型 | 第80-83页 |
4.3 错误数据的定位 | 第83-85页 |
4.4 错误数据的纠正 | 第85-89页 |
4.5 本章小结 | 第89-90页 |
第5章 存储器错误检测和修复实验及结果分析 | 第90-109页 |
5.1模拟注错实验 | 第90-95页 |
5.1.1 实验平台 | 第90-92页 |
5.1.2 实验方法 | 第92-93页 |
5.1.3 实验结果 | 第93-95页 |
5.2重离子注错实验 | 第95-104页 |
5.2.1 重离子微束实验平台介绍 | 第95-97页 |
5.2.2 实验方法 | 第97-101页 |
5.2.3 实验结果 | 第101-104页 |
5.3 分析与讨论 | 第104-107页 |
5.4 本章小结 | 第107-109页 |
第6章 总结 | 第109-113页 |
6.1 全文总结 | 第109-111页 |
6.2 创新点 | 第111页 |
6.3 研究展望 | 第111-113页 |
参考文献 | 第113-121页 |
致谢 | 第121-123页 |
作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第123-125页 |