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面向数字SoC芯片的单粒子效应探测技术研究

摘要第4-6页
abstract第6-7页
第1章 引言第15-38页
    1.1 课题研究背景及意义第15-22页
        1.1.1 单粒子效应第16-18页
        1.1.2 单粒子效应带来的挑战第18-22页
    1.2 单粒子效应对SoC芯片的影响第22-27页
        1.2.1 逻辑单元的单粒子效应第23-24页
        1.2.2 存储单元的单粒子效应第24-27页
    1.3 国内外研究现状第27-35页
        1.3.1 逻辑单元的单粒子效应研究第27-30页
        1.3.2 存储单元的单粒子效应探测研究第30-34页
        1.3.3 存在的问题第34-35页
    1.4 论文主要研究内容第35-37页
    1.5 论文结构安排第37-38页
第2章 基于压缩感知的逻辑单元单粒子效应探测技术研究第38-59页
    2.1 压缩感知理论概述第39-43页
        2.1.1 信号稀疏表示第40-41页
        2.1.2 观测矩阵第41-42页
        2.1.3 重构算法第42-43页
    2.2 单粒子效应观测模型的建立第43-45页
        2.2.1 信号的物理意义映射第43-44页
        2.2.2 观测模型建立第44-45页
    2.3 非相关观测方法及可测性设计第45-52页
        2.3.1 非相关观测方法第45-51页
        2.3.2 测试向量生成方法第51-52页
    2.4 非相关观测系统的搭建第52-58页
    2.5 本章小结第58-59页
第3章 单粒子效应敏感单元重构方法研究第59-78页
    3.1 无噪声环境下的敏感点重构第60-66页
    3.2 噪声环境下的敏感点重构第66-72页
    3.3 仿真验证与分析第72-77页
    3.4 本章小结第77-78页
第4章 基于数据相关性分析的存储器错误定位和修复第78-90页
    4.1 数据相关性分析方法概述第78-80页
    4.2 建立数据相关性表示模型第80-83页
    4.3 错误数据的定位第83-85页
    4.4 错误数据的纠正第85-89页
    4.5 本章小结第89-90页
第5章 存储器错误检测和修复实验及结果分析第90-109页
    5.1模拟注错实验第90-95页
        5.1.1 实验平台第90-92页
        5.1.2 实验方法第92-93页
        5.1.3 实验结果第93-95页
    5.2重离子注错实验第95-104页
        5.2.1 重离子微束实验平台介绍第95-97页
        5.2.2 实验方法第97-101页
        5.2.3 实验结果第101-104页
    5.3 分析与讨论第104-107页
    5.4 本章小结第107-109页
第6章 总结第109-113页
    6.1 全文总结第109-111页
    6.2 创新点第111页
    6.3 研究展望第111-113页
参考文献第113-121页
致谢第121-123页
作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果第123-125页

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