| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| 第一节 太赫兹技术简介 | 第9-14页 |
| 1.1.1 THz波的概念 | 第9页 |
| 1.1.2 THz波的特性和应用 | 第9-12页 |
| 1.1.3 THz相位调制器件简介 | 第12-14页 |
| 第二节 液晶光学特性简介 | 第14-17页 |
| 1.2.1 液晶的分类 | 第14-15页 |
| 1.2.2 液晶的性质和应用 | 第15-16页 |
| 1.2.3 THz波段液晶材料的研究现状 | 第16-17页 |
| 第三节 本论文主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第二章 THz相位器件的理论基础和研究方法 | 第19-30页 |
| 第一节 常见材料在THz波段的性质 | 第19-23页 |
| 2.1.1 材料在THz波段的介电模型 | 第19-20页 |
| 2.1.2 介质材料在THz波段的性质 | 第20-21页 |
| 2.1.3 石墨烯在THz波段的性质 | 第21-23页 |
| 第二节 THz相位调制器件的理论研究方法 | 第23-27页 |
| 2.2.1 介质超材料的理论研究方法 | 第23-25页 |
| 2.2.2 THz相位调制器件的仿真方法 | 第25-27页 |
| 第三节 THz-TDS实验系统 | 第27-29页 |
| 第四节 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 THz人工高双折射及液晶相移器的研究 | 第30-39页 |
| 第一节 引言 | 第30-31页 |
| 第二节 栅-格复合介质超表面结构的EIT效应和人工高双折射效应 | 第31-35页 |
| 3.2.1 栅-格复合介质超表面结构及其加工 | 第31-33页 |
| 3.2.2 栅-格复合介质超表面结构的实验以及结果分析 | 第33-35页 |
| 第三节 基于栅-格复合介质超表面结构的液晶相移器研究 | 第35-38页 |
| 3.3.1 液晶相移器的制备 | 第35-36页 |
| 3.3.2 液晶相移器的实验以及结果分析 | 第36-38页 |
| 第四节 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 宽带可调石墨烯四分之一波片的研究 | 第39-51页 |
| 第一节 引言 | 第39-40页 |
| 第二节 基于电控石墨烯光栅的开关四分之一波片 | 第40-45页 |
| 4.2.1 开关四分之一波片的结构及石墨烯的电控特性 | 第40-42页 |
| 4.2.2 开关四分之一波片的模拟与结果分析 | 第42-45页 |
| 第三节 基于电控液晶-石墨烯光栅的宽带可调四分之一波片 | 第45-49页 |
| 4.3.1 宽带可调四分之一波片的结构及液晶的电控特性 | 第45-46页 |
| 4.3.2 宽带可调四分之一波片的模拟与结果分析 | 第46-49页 |
| 第四节 本章小结 | 第49-51页 |
| 第五章 总结与展望 | 第51-53页 |
| 第一节 本文总结 | 第51-52页 |
| 第二节 未来工作展望 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 个人简历 在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第59页 |
