基于CMOS工艺的单光子雪崩二极管研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 单光子探测技术背景 | 第8-9页 |
| 1.2 单光子探测器介绍 | 第9-10页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第10-14页 |
| 1.4 论文的主要内容和结构安排 | 第14-16页 |
| 第2章 单光子探测基本理论 | 第16-28页 |
| 2.1 单光子雪崩二极管工作原理 | 第16-18页 |
| 2.2 单光子雪崩二极管主要性能参数 | 第18-21页 |
| 2.2.1 雪崩倍增因子 | 第18-19页 |
| 2.2.2 量子效率 | 第19页 |
| 2.2.3 响应度 | 第19-20页 |
| 2.2.4 暗计数 | 第20-21页 |
| 2.2.5 光子探测效率 | 第21页 |
| 2.3 单光子雪崩二极管淬灭电路 | 第21-26页 |
| 2.3.1 被动淬灭 | 第22-23页 |
| 2.3.2 主动淬灭 | 第23-25页 |
| 2.3.3 门控淬灭 | 第25-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-28页 |
| 第3章 经典保护环SPAD的设计与仿真 | 第28-42页 |
| 3.1 SPAD结构的发展 | 第28-29页 |
| 3.2 CMOS工艺下的保护环结构 | 第29-31页 |
| 3.3 经典保护环SPAD的仿真与分析 | 第31-40页 |
| 3.3.1 仿真软件SilvacoTCAD简介 | 第31-32页 |
| 3.3.2 仿真环境及结构建立 | 第32-33页 |
| 3.3.3 仿真结果与分析 | 第33-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第4章 新型非接触式保护环SPAD的设计与仿真 | 第42-52页 |
| 4.1 非接触式保护环SPAD结构设计 | 第42-44页 |
| 4.2 非接触式保护环SPAD仿真分析 | 第44-48页 |
| 4.3 门控模式下的暗计数和光子探测效率 | 第48-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第5章 单光子雪崩二极管探测单元 | 第52-62页 |
| 5.1 单光子雪崩二极管等效模型 | 第52-53页 |
| 5.2 单管被动淬灭-被动恢复电路 | 第53-55页 |
| 5.3 主动淬灭-主动恢复电路 | 第55-59页 |
| 5.4 被动淬灭-主动恢复电路 | 第59-61页 |
| 5.5 本章小结 | 第61-62页 |
| 第6章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 6.1 论文总结 | 第62页 |
| 6.2 研究展望 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 发表论文和参与科研情况说明 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
