| 第一章 绪论 | 第1-21页 |
| §1.1 Ⅲ族氮化物半导体器件的研究历史 | 第4-5页 |
| §1.2 Ⅲ族氮化物材料的基本特性 | 第5-8页 |
| §1.3 两种重要的异质结构 | 第8-12页 |
| ·AlGaN/GaN异质结 | 第8-10页 |
| ·GaN基多量子阱 | 第10-12页 |
| §1.4 GaN基(光)电子器件研究中存在的问题 | 第12-15页 |
| §1.5 论文的主要研究内容 | 第15-17页 |
| 参考文献 | 第17-21页 |
| 第二章 AlGaN/GaN异质结的反向栅极漏电流传输机制与电容-电导散射研究 | 第21-41页 |
| §2.1 引言 | 第21-22页 |
| §2.2 样品的制备和表征 | 第22-23页 |
| §2.3 反向栅极漏电流的传输机制 | 第23-28页 |
| ·Frenkel-Poole发射模型 | 第23-25页 |
| ·漏电流特性 | 第25-28页 |
| §2.4 零栅压下的电流平衡 | 第28-31页 |
| §2.5 交流小信号的电容和电导频率散射 | 第31-37页 |
| ·AlGaN势垒层中的压电极化弛豫 | 第31-32页 |
| ·电容与电导散射 | 第32-37页 |
| §2.6 本章小结 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-41页 |
| 第三章 GaN基MOS结构的深能级界面态分布与积累区电容特性研究 | 第41-60页 |
| §3.1 引言 | 第41-42页 |
| §3.2 器件制备 | 第42-44页 |
| §3.3 Al_2O_3/n-GaN MOS界面态表征 | 第44-52页 |
| ·GaN深能级电子的发射时间常数 | 第44-45页 |
| ·光辅助高频CV技术 | 第45-52页 |
| §3.4 Al_2O_3/n-GaN MOS积累区电容下降原因分析 | 第52-55页 |
| §3.5 本章小结 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 第四章 GaN基发光二极管电流传输与大电流效率droop现象机制研究 | 第60-83页 |
| §4.1 引言 | 第60-61页 |
| §4.2 样品结构和表征 | 第61-62页 |
| §4.3 GaN基发光二极管的正向电流特性 | 第62-68页 |
| §4.4 GaN基发光二极管的反向漏电流特性 | 第68-75页 |
| ·低偏压区域的传输机制 | 第69-71页 |
| ·高偏压区域的传输机制 | 第71-75页 |
| §4.5 GaN基发光二极管大电流droop效应 | 第75-80页 |
| ·大电流droop效应现有的几种模型 | 第75-76页 |
| ·发光效率与注入电流的关系 | 第76-80页 |
| §4.6 本章小结 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-83页 |
| 第五章 论文工作总结与展望 | 第83-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 发表的论文 | 第86-87页 |
