| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 缩略词 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 a-MOS材料的介绍与制备技术 | 第11-13页 |
| 1.3 a-MOS TFTs的特性 | 第13-15页 |
| 1.3.1 a-MOS TFTs的陷阱态密度 | 第13-14页 |
| 1.3.2 a-MOS TFTs器件的优点 | 第14-15页 |
| 1.4 ZnO TFTs模型的研究现状 | 第15-16页 |
| 1.5 主要研究内容及其意义 | 第16-17页 |
| 1.6 本章小结 | 第17-18页 |
| 第二章 a-ZnO TFTs表面势的非迭代算法 | 第18-30页 |
| 2.1 引言 | 第18页 |
| 2.2 a-ZnO TFTs的结构 | 第18-19页 |
| 2.3 基于不同态密度分布参数的氧化锌陷阱态密度 | 第19-21页 |
| 2.4 a-ZnO TFTs的表面势求解 | 第21-22页 |
| 2.5 a-ZnO TFTs表面势的解析求解 | 第22-24页 |
| 2.6 a-ZnO TFTs表面势数值解与解析解的误差分析 | 第24-25页 |
| 2.7 仿真结果与讨论 | 第25-29页 |
| 2.8 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 基于表面势的a-ZnO TFTs漏电流模型 | 第30-38页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 a-ZnO TFTs迁移率 | 第30-32页 |
| 3.3 漏电流模型的建立 | 第32-34页 |
| 3.4 仿真结果与实验讨论 | 第34-37页 |
| 3.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 a-ZnO TFTs漏电流的幂律函数和有效沟道迁移率研究 | 第38-48页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 幂律函数迁移率分析 | 第38-41页 |
| 4.3 有效沟道迁移率推导 | 第41-44页 |
| 4.4 基于幂律函数与有效沟道迁移率的漏电流方程 | 第44页 |
| 4.5 仿真实验与结果 | 第44-47页 |
| 4.6 本章小结 | 第47-48页 |
| 结论 | 第48-50页 |
| 参考文献 | 第50-56页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第56-57页 |
| 后记 | 第57页 |
