三维SiC二极管及其关键工艺技术研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 SiC的结构性质和类型 | 第10-12页 |
| 1.2 SiC器件的研究现状 | 第12-13页 |
| 1.3 研究意义 | 第13-15页 |
| 1.4 本文主要内容 | 第15-16页 |
| 第二章 制造三维SiC二极管的工艺基础 | 第16-35页 |
| 2.1 刻蚀工艺 | 第16-21页 |
| 2.1.1 湿法化学刻蚀 | 第16-17页 |
| 2.1.2 干法刻蚀 | 第17-19页 |
| 2.1.3 4H-SiC干法刻蚀 | 第19-21页 |
| 2.2 离子注入工艺 | 第21-34页 |
| 2.2.1 离子注入的原理 | 第21-22页 |
| 2.2.2 离子注入的平均投影射程和浓度分布 | 第22-27页 |
| 2.2.3 4H-SiC的Al离子注入 | 第27-34页 |
| 2.3 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 4H-SiC欧姆接触理论 | 第35-59页 |
| 3.1 金属-半导体接触理论 | 第35-38页 |
| 3.2 比接触电阻 | 第38-48页 |
| 3.2.1 传输线性模型 | 第39-41页 |
| 3.2.2 圆环传输线模型 | 第41-45页 |
| 3.2.3 跨桥Kelvin电阻测试结构 | 第45-48页 |
| 3.3 n型SiC的欧姆接触 | 第48-53页 |
| 3.3.1 Ti基和Ta基的欧姆接触 | 第50-51页 |
| 3.3.2 Ni基的欧姆接触 | 第51-53页 |
| 3.4 p型SiC的欧姆接触 | 第53-57页 |
| 3.4.1 Al/Ti欧姆接触 | 第54-56页 |
| 3.4.2 Al/Ti接触的其它选择 | 第56-57页 |
| 3.5 本章小结 | 第57-59页 |
| 第四章 三维SiC二极管制造的工艺 | 第59-89页 |
| 4.1 实验室工艺条件 | 第59-61页 |
| 4.2 三维SiC二极管制造工艺的研究 | 第61-86页 |
| 4.2.1 光刻工艺的研究 | 第62-67页 |
| 4.2.2 镀膜工艺的研究 | 第67-69页 |
| 4.2.3 ICP-RIE工艺的研究 | 第69-81页 |
| 4.2.4 离子注入工艺的研究 | 第81-82页 |
| 4.2.5 p型SiC欧姆接触的研究 | 第82-83页 |
| 4.2.6 SiC三维二极管的测试与分析 | 第83-86页 |
| 4.3 三维SiC二极管的工艺流程 | 第86-88页 |
| 4.4 本章小结 | 第88-89页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第89-91页 |
| 5.1 全文总结 | 第89-90页 |
| 5.2 工作展望 | 第90-91页 |
| 致谢 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-95页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第95页 |
