| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-16页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-14页 |
| 1.2 单晶铌酸锂薄膜体声波谐振器的发展 | 第14页 |
| 1.3 本论文主要工作 | 第14-16页 |
| 第二章 基本原理和实验方法 | 第16-25页 |
| 2.1 离子注入技术 | 第16-17页 |
| 2.2 氩离子处理技术 | 第17-19页 |
| 2.3 等离子体增强化学气相沉积法 | 第19-20页 |
| 2.4 深反应离子刻蚀 | 第20页 |
| 2.5 原子力显微镜 | 第20-21页 |
| 2.6 X射线衍射分析 | 第21-22页 |
| 2.7 扫描电子显微镜 | 第22页 |
| 2.8 透射电子显微镜 | 第22-24页 |
| 2.9 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 单晶铌酸锂薄膜的制备与表征 | 第25-55页 |
| 3.1 BCB键合技术和研究 | 第25-32页 |
| 3.1.1 前烘温度和前烘时间对键合的影响 | 第27-29页 |
| 3.1.2 键合气氛和加压方式对固化的键合层的影响 | 第29-30页 |
| 3.1.3 键合压强对键合的影响 | 第30-32页 |
| 3.2 基于异质衬底的单晶铌酸锂薄膜剥离 | 第32-37页 |
| 3.2.1 基于异质衬底键合的探究 | 第32-33页 |
| 3.2.2 注入剂量对单晶铌酸锂薄膜剥离的影响 | 第33-37页 |
| 3.3 基于同质衬底的单晶铌酸锂薄膜剥离 | 第37-48页 |
| 3.3.1 注入剂量对铌酸锂薄膜剥离的影响 | 第39-42页 |
| 3.3.2 不同注入能量下铌酸锂薄膜剥离的情形 | 第42-43页 |
| 3.3.3 不同晶向的铌酸锂薄膜剥离情况 | 第43-46页 |
| 3.3.4 晶圆键合方式对薄膜剥离的影响 | 第46-47页 |
| 3.3.5 温度对薄膜剥离的影响 | 第47-48页 |
| 3.4 氩离子刻蚀 | 第48-54页 |
| 3.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 基于同质衬底的铌酸锂FBAR的制备与测试 | 第55-63页 |
| 4.1 掩膜版的设计 | 第55-56页 |
| 4.2 FBAR的设计与制备 | 第56-60页 |
| 4.2.1 下电极与非晶硅的图形化 | 第56-57页 |
| 4.2.2 上电极图形化与薄膜刻蚀 | 第57-60页 |
| 4.3 FBAR性能测试 | 第60-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 全文总结与展望 | 第63-65页 |
| 5.1 全文总结 | 第63-64页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第70页 |