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单晶铌酸锂薄膜材料及FBAR器件研究

摘要第5-7页
abstract第7-8页
第一章 绪论第11-16页
    1.1 研究背景第11-14页
    1.2 单晶铌酸锂薄膜体声波谐振器的发展第14页
    1.3 本论文主要工作第14-16页
第二章 基本原理和实验方法第16-25页
    2.1 离子注入技术第16-17页
    2.2 氩离子处理技术第17-19页
    2.3 等离子体增强化学气相沉积法第19-20页
    2.4 深反应离子刻蚀第20页
    2.5 原子力显微镜第20-21页
    2.6 X射线衍射分析第21-22页
    2.7 扫描电子显微镜第22页
    2.8 透射电子显微镜第22-24页
    2.9 本章小结第24-25页
第三章 单晶铌酸锂薄膜的制备与表征第25-55页
    3.1 BCB键合技术和研究第25-32页
        3.1.1 前烘温度和前烘时间对键合的影响第27-29页
        3.1.2 键合气氛和加压方式对固化的键合层的影响第29-30页
        3.1.3 键合压强对键合的影响第30-32页
    3.2 基于异质衬底的单晶铌酸锂薄膜剥离第32-37页
        3.2.1 基于异质衬底键合的探究第32-33页
        3.2.2 注入剂量对单晶铌酸锂薄膜剥离的影响第33-37页
    3.3 基于同质衬底的单晶铌酸锂薄膜剥离第37-48页
        3.3.1 注入剂量对铌酸锂薄膜剥离的影响第39-42页
        3.3.2 不同注入能量下铌酸锂薄膜剥离的情形第42-43页
        3.3.3 不同晶向的铌酸锂薄膜剥离情况第43-46页
        3.3.4 晶圆键合方式对薄膜剥离的影响第46-47页
        3.3.5 温度对薄膜剥离的影响第47-48页
    3.4 氩离子刻蚀第48-54页
    3.5 本章小结第54-55页
第四章 基于同质衬底的铌酸锂FBAR的制备与测试第55-63页
    4.1 掩膜版的设计第55-56页
    4.2 FBAR的设计与制备第56-60页
        4.2.1 下电极与非晶硅的图形化第56-57页
        4.2.2 上电极图形化与薄膜刻蚀第57-60页
    4.3 FBAR性能测试第60-61页
    4.4 本章小结第61-63页
第五章 全文总结与展望第63-65页
    5.1 全文总结第63-64页
    5.2 后续工作展望第64-65页
致谢第65-66页
参考文献第66-70页
攻读硕士学位期间取得的成果第70页

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