摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第1章 绪论 | 第9-22页 |
1.1 热电材料的概述 | 第9-10页 |
1.2 热电现象的理论基础 | 第10-13页 |
1.3 热电材料的研究现状 | 第13-21页 |
1.3.1 几种重要的热电材料 | 第13-17页 |
1.3.2 Mg_2(Sn,Si)基热电材料 | 第17-21页 |
1.4 本论文研究的意义 | 第21-22页 |
第2章 实验内容与方法 | 第22-26页 |
2.1 实验材料与设备 | 第22页 |
2.2 实验方法 | 第22-23页 |
2.3 分析测试方法 | 第23-26页 |
2.3.1 烧结材料形貌的观察和能谱分析 | 第23-24页 |
2.3.2 烧结材料结构的表征 | 第24页 |
2.3.3 烧结材料热电性能的测试 | 第24-26页 |
第3章 结果分析与讨论 | 第26-63页 |
3.1 不同烧结温度处理材料的结构与性能 | 第26-34页 |
3.1.1 制备材料的晶体结构(XRD谱) | 第26-30页 |
3.1.2 制备材料的热电性能 | 第30-34页 |
3.2 500 ℃致密化处理后材料的结构与性能 | 第34-44页 |
3.2.1 580 ℃-2h+500℃-2h处理的材料的结构与性能 | 第34-40页 |
3.2.2 620 ℃-2h+500℃-2h处理的材料的结构与性能 | 第40-44页 |
3.3 580 ℃重新固溶处理后材料的结构与热电性能 | 第44-51页 |
3.3.1 580 ℃-2h+500℃-2h+580℃-2h处理的材料的结构与性能 | 第44-48页 |
3.3.2 620 ℃-2h+500℃-2h+580℃-2h处理的材料的结构与性能 | 第48-51页 |
3.4 不同退火时间处理的材料的结构与性能 | 第51-57页 |
3.4.1 制备材料的晶体结构(XRD谱) | 第51-54页 |
3.4.2 制备材料的热电性能 | 第54-57页 |
3.5 不同Bi掺杂量的差热扫描量热分析 | 第57-58页 |
3.6 不同条件下热压处理的材料的结构与性能 | 第58-63页 |
3.6.1 制备材料的晶体结构(XRD谱) | 第59页 |
3.6.2 制备材料的热电性能 | 第59-63页 |
第4章 结论 | 第63-64页 |
参考文献 | 第64-67页 |
在学研究成果 | 第67-68页 |
致谢 | 第68页 |