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掺杂Bi的Mg-Si-Sn基材料的制备与热电性能

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第9-22页
    1.1 热电材料的概述第9-10页
    1.2 热电现象的理论基础第10-13页
    1.3 热电材料的研究现状第13-21页
        1.3.1 几种重要的热电材料第13-17页
        1.3.2 Mg_2(Sn,Si)基热电材料第17-21页
    1.4 本论文研究的意义第21-22页
第2章 实验内容与方法第22-26页
    2.1 实验材料与设备第22页
    2.2 实验方法第22-23页
    2.3 分析测试方法第23-26页
        2.3.1 烧结材料形貌的观察和能谱分析第23-24页
        2.3.2 烧结材料结构的表征第24页
        2.3.3 烧结材料热电性能的测试第24-26页
第3章 结果分析与讨论第26-63页
    3.1 不同烧结温度处理材料的结构与性能第26-34页
        3.1.1 制备材料的晶体结构(XRD谱)第26-30页
        3.1.2 制备材料的热电性能第30-34页
    3.2 500 ℃致密化处理后材料的结构与性能第34-44页
        3.2.1 580 ℃-2h+500℃-2h处理的材料的结构与性能第34-40页
        3.2.2 620 ℃-2h+500℃-2h处理的材料的结构与性能第40-44页
    3.3 580 ℃重新固溶处理后材料的结构与热电性能第44-51页
        3.3.1 580 ℃-2h+500℃-2h+580℃-2h处理的材料的结构与性能第44-48页
        3.3.2 620 ℃-2h+500℃-2h+580℃-2h处理的材料的结构与性能第48-51页
    3.4 不同退火时间处理的材料的结构与性能第51-57页
        3.4.1 制备材料的晶体结构(XRD谱)第51-54页
        3.4.2 制备材料的热电性能第54-57页
    3.5 不同Bi掺杂量的差热扫描量热分析第57-58页
    3.6 不同条件下热压处理的材料的结构与性能第58-63页
        3.6.1 制备材料的晶体结构(XRD谱)第59页
        3.6.2 制备材料的热电性能第59-63页
第4章 结论第63-64页
参考文献第64-67页
在学研究成果第67-68页
致谢第68页

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