| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 辐照损伤国内外研究现状 | 第9-11页 |
| 1.3 本文主要工作 | 第11-13页 |
| 第二章 SiC 基本性质、缺陷及辐照损伤 | 第13-27页 |
| 2.1 SiC 的基本性质 | 第13-15页 |
| 2.1.1 SiC 的晶体结构 | 第13-14页 |
| 2.1.2 SiC 的光学性能 | 第14-15页 |
| 2.2 晶体缺陷 | 第15-22页 |
| 2.2.1 缺陷的种类 | 第15-17页 |
| 2.2.2 点缺陷的产生、迁移和复合 | 第17-21页 |
| 2.2.2.1 点缺陷的产生 | 第17-18页 |
| 2.2.2.2 点缺陷的热力学统计 | 第18-19页 |
| 2.2.2.3 点缺陷的迁移 | 第19-20页 |
| 2.2.2.4 点缺陷的复合 | 第20-21页 |
| 2.2.3 点缺陷对晶体性能的影响 | 第21-22页 |
| 2.3 中子辐照损伤 | 第22-27页 |
| 2.3.1 中子辐照效应 | 第22-24页 |
| 2.3.2 辐照缺陷及其回复规律 | 第24-27页 |
| 第三章 测试技术及相关原理 | 第27-33页 |
| 3.1 半导体吸收光谱 | 第27-30页 |
| 3.1.1 半导体各光学参数之间的关系 | 第27-28页 |
| 3.1.2 半导体的光吸收现象 | 第28-29页 |
| 3.1.3 吸收谱实验方法 | 第29-30页 |
| 3.2 半导体荧光光谱 | 第30-33页 |
| 3.2.1 半导体的辐射复合过程 | 第30-32页 |
| 3.2.2 光致发光实验方法 | 第32-33页 |
| 第四章 实验结果与讨论 | 第33-49页 |
| 4.1 实验概述 | 第33-34页 |
| 4.2 实验结果与分析 | 第34-49页 |
| 4.2.1 中子辐照对 6H-SiC 晶体结构的影响 | 第34-36页 |
| 4.2.2 中子辐照对 6H-SiC 光学性能的影响 | 第36-44页 |
| 4.2.2.1 中子辐照 6H-SiC 带边及带尾 | 第36-39页 |
| 4.2.2.2 中子辐照 6H-SiC 吸收峰 | 第39-42页 |
| 4.2.2.3 中子辐照 6H-SiC 发光峰 | 第42-44页 |
| 4.2.3 退火对 6H-SiC 光学性能的影响 | 第44-47页 |
| 4.2.4 中子辐照 6H-SiC 的硅空位模型 | 第47-49页 |
| 第五章 工作总结与展望 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-59页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
