| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 1 引言 | 第13-14页 |
| 2 文献综述 | 第14-41页 |
| 2.1 透明导电薄膜的应用领域 | 第14-15页 |
| 2.1.1 热反射镜 | 第14页 |
| 2.1.2 触摸屏 | 第14页 |
| 2.1.3 透明电极 | 第14-15页 |
| 2.2 透明导电氧化物薄膜特点和研究进展 | 第15-19页 |
| 2.2.1 透明导电氧化物薄膜的特点 | 第15-16页 |
| 2.2.2 透明导电氧化物薄膜的研究进展 | 第16-19页 |
| 2.3 ITO透明导电薄膜的结构和特性 | 第19-25页 |
| 2.3.1 ITO薄膜的微观结构 | 第19-21页 |
| 2.3.2 ITO薄膜的光学性能 | 第21-23页 |
| 2.3.3 ITO薄膜的电学性能 | 第23-25页 |
| 2.4 ITO透明导电薄膜的制备方法 | 第25-32页 |
| 2.4.1 溶胶-凝胶法 | 第25-26页 |
| 2.4.2 脉冲激光沉积 | 第26-27页 |
| 2.4.3 喷射热解法 | 第27页 |
| 2.4.4 化学气相沉积法 | 第27-28页 |
| 2.4.5 磁控溅射法 | 第28-32页 |
| 2.5 ITO靶材的制备方法及发展趋势 | 第32-39页 |
| 2.5.1 ITO靶材的制备方法 | 第32-34页 |
| 2.5.2 ITO靶材技术发展趋势 | 第34-36页 |
| 2.5.3 ITO靶材的“中毒” | 第36-39页 |
| 2.6 本课题的研究目的意义和基本内容 | 第39-41页 |
| 2.6.1 研究的目的和意义 | 第39-40页 |
| 2.6.2 研究的基本内容 | 第40-41页 |
| 3 ITO靶材开裂原因及机理研究 | 第41-55页 |
| 3.1 实验方法及表征 | 第41-47页 |
| 3.1.1 实验原料 | 第41-43页 |
| 3.1.2 实验设备 | 第43-44页 |
| 3.1.3 ITO薄膜制备 | 第44-46页 |
| 3.1.4 ITO靶材及薄膜性能分析方法 | 第46-47页 |
| 3.2 ITO靶材化学成分分析 | 第47-48页 |
| 3.3 ITO靶材的微观组织分析 | 第48-53页 |
| 3.3.1 ITO靶材晶体结构分析 | 第48-49页 |
| 3.3.2 ITO靶材的微观组织形貌分析 | 第49-53页 |
| 3.4 ITO靶材开裂原因分析 | 第53-54页 |
| 3.5 本章小结 | 第54-55页 |
| 4 ITO靶材“中毒”原因分析及机理研究 | 第55-64页 |
| 4.1 实验方法及表征 | 第55-56页 |
| 4.1.1 实验样品 | 第55-56页 |
| 4.1.2 实验条件 | 第56页 |
| 4.1.3 样品分析方法 | 第56页 |
| 4.2 ITO靶材“中毒”表面形貌分析 | 第56-57页 |
| 4.3 不同纯度ITO靶材“中毒”情况对比分析 | 第57-58页 |
| 4.4 不同密度ITO靶材“中毒”情况对比分析 | 第58-59页 |
| 4.5 不同掺杂元素的靶材“中毒”情况分析 | 第59-61页 |
| 4.5.1 引言 | 第59-60页 |
| 4.5.2 掺Ti、Nb的ITO靶材“中毒”情况分析 | 第60-61页 |
| 4.6 靶材表面结瘤情况分析及结瘤机理研究 | 第61-63页 |
| 4.7 本章小结 | 第63-64页 |
| 5 ITO靶材“中毒”对ITO薄膜性能影响的研究 | 第64-72页 |
| 5.1 实验样品及表征方法 | 第64页 |
| 5.1.1 实验样品和方法 | 第64页 |
| 5.1.2 表征方法 | 第64页 |
| 5.2 靶材“中毒”对薄膜表面形貌影响的研究 | 第64-68页 |
| 5.3 靶材“中毒”前后薄膜透光率变化 | 第68-69页 |
| 5.4 靶材“中毒”对薄膜电阻率影响的研究 | 第69-71页 |
| 5.5 本章小结 | 第71-72页 |
| 6 钛掺杂ITO透明导电薄膜的结构和光电性能的研究 | 第72-91页 |
| 6.1 基片温度对钛掺杂ITO薄膜性能影响的研究 | 第72-78页 |
| 6.1.1 实验样品和实验条件 | 第72-73页 |
| 6.1.2 基片温度对钛掺杂ITO薄膜结构影响的研究 | 第73-74页 |
| 6.1.3 基片温度对钛掺杂ITO薄膜表面粗糙度影响的研究 | 第74-75页 |
| 6.1.4 基片温度对钛掺杂ITO薄膜电学性能影响的研究 | 第75-76页 |
| 6.1.5 基片温度对钛掺杂ITO薄膜光学性能影响的研究 | 第76-77页 |
| 6.1.6 小结 | 第77-78页 |
| 6.2 偏压对钛掺杂ITO薄膜的性能影响的研究 | 第78-84页 |
| 6.2.1 实验样品和实验条件 | 第78-79页 |
| 6.2.2 偏压对钛掺杂ITO薄膜结构影响的研究 | 第79-80页 |
| 6.2.3 偏压对钛掺杂ITO薄膜表面形貌影响的研究 | 第80-81页 |
| 6.2.4 偏压对钛掺杂ITO薄膜电学性能影响研究的研究 | 第81-82页 |
| 6.2.5 偏压对钛掺杂ITO薄膜光学性能影响的研究 | 第82-83页 |
| 6.2.6 小结 | 第83-84页 |
| 6.3 薄膜厚度对钛掺杂ITO薄膜的性能影响的研究 | 第84-90页 |
| 6.3.1 实验样品与实验方法 | 第84-85页 |
| 6.3.2 薄膜厚度对钛掺杂ITO薄膜结构影响的研究 | 第85-86页 |
| 6.3.3 薄膜厚度对钛掺杂ITO薄膜表面形貌影响的研究 | 第86-88页 |
| 6.3.4 薄膜厚度对钛掺杂ITO薄膜电学性能影响的研究 | 第88-89页 |
| 6.3.5 薄膜厚度对钛掺杂ITO薄膜光学性能影响的研究 | 第89页 |
| 6.3.6 小结 | 第89-90页 |
| 6.4 本章小结 | 第90-91页 |
| 7 铌掺杂ITO透明导电薄膜结构和光电性能的研究 | 第91-110页 |
| 7.1 基片温度对铌掺杂ITO薄膜性能影响的研究 | 第91-98页 |
| 7.1.1 实验样品与实验方法 | 第91页 |
| 7.1.2 基片温度对Nb掺杂ITO薄膜结构影响的研究 | 第91-93页 |
| 7.1.3 基片温度对铌掺杂ITO薄膜表面粗糙度影响的研究 | 第93-95页 |
| 7.1.4 基片温度对铌掺杂ITO薄膜电学性能影响的研究 | 第95页 |
| 7.1.5 基片温度对铌掺杂ITO薄膜透光率影响的研究 | 第95-97页 |
| 7.1.6 小结 | 第97-98页 |
| 7.2 偏压对铌掺杂ITO薄膜性能影响的研究 | 第98-104页 |
| 7.2.1 实验样品与实验方法 | 第98页 |
| 7.2.2 偏压对铌掺杂ITO薄膜结构影响的研究 | 第98-99页 |
| 7.2.3 偏压对铌掺杂ITO薄膜表面粗糙度影响的研究 | 第99-101页 |
| 7.2.4 偏压对铌掺杂ITO薄膜电学性能影响的研究 | 第101-102页 |
| 7.2.5 偏压对铌掺杂ITO薄膜透光率影响的研究 | 第102-104页 |
| 7.2.6 小结 | 第104页 |
| 7.3 薄膜厚度对铌掺杂ITO薄膜性能影响的研究 | 第104-108页 |
| 7.3.1 实验样品与实验方法 | 第105页 |
| 7.3.2 薄膜厚度对铌掺杂ITO薄膜结构影响的研究 | 第105-106页 |
| 7.3.3 薄膜厚度对铌掺杂ITO薄膜电学性能影响的研究 | 第106页 |
| 7.3.4 薄膜厚度对铌掺杂ITO薄膜光学性能影响的研究 | 第106-108页 |
| 7.3.5 小结 | 第108页 |
| 7.4 本章小结 | 第108-110页 |
| 8 结论 | 第110-113页 |
| 参考文献 | 第113-125页 |
| 作者简历及在学研究成果 | 第125-128页 |
| 学位论文数据集 | 第128页 |
