| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-16页 |
| 1.1 选题背景及意义 | 第11-12页 |
| 1.2 研究现状和进展 | 第12-14页 |
| 1.3 论文的内容和结构安排 | 第14-16页 |
| 第二章 传感器原理及材料的选取 | 第16-21页 |
| 2.1 引言 | 第16页 |
| 2.2 功能电阻转换原理 | 第16-18页 |
| 2.3 材料的选取 | 第18-20页 |
| 2.3.1 绝缘介质膜层 | 第18-20页 |
| 2.3.2 功能电阻膜层 | 第20页 |
| 2.4 本章小结 | 第20-21页 |
| 第三章 抛光工艺、绝缘膜制备及镍铬膜研究 | 第21-42页 |
| 3.1 引言 | 第21页 |
| 3.2 抛光工艺 | 第21-29页 |
| 3.2.1 UNIPOL-802型精密研磨抛光机抛光工艺研究 | 第21-25页 |
| 3.2.1.1 夹具的设计与加工 | 第22-24页 |
| 3.2.1.2 抛光液和抛光垫的选取 | 第24-25页 |
| 3.2.2 Tegramin-25型抛光机抛光工艺研究 | 第25-29页 |
| 3.3 不锈钢基片表面的清洗 | 第29-31页 |
| 3.3.1 丙酮-酒精-去离子水超声波清洗 | 第29-30页 |
| 3.3.2 脱脂棉签擦拭法 | 第30-31页 |
| 3.4 绝缘膜制备 | 第31-35页 |
| 3.4.1 射频磁控溅射法制备SiO2薄膜 | 第31-33页 |
| 3.4.2 等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）制备SiO2薄膜 | 第33-35页 |
| 3.5 镍铬薄膜的研究 | 第35-40页 |
| 3.5.1 不同膜厚对功能电阻阻值的影响 | 第35-36页 |
| 3.5.2 不同退火条件对电阻值的影响 | 第36-38页 |
| 3.5.3 抽真空时间对电阻值的影响 | 第38-39页 |
| 3.5.4 退火温度对电阻形貌的影响 | 第39-40页 |
| 3.5.5 不同沉积温度对镍铬薄膜晶体结构的影响 | 第40页 |
| 3.6 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 传感器制备工艺研究及测试 | 第42-74页 |
| 4.1 引言 | 第42页 |
| 4.2 传感器制备工艺 | 第42-61页 |
| 4.2.1 掩模版图的设计 | 第42-48页 |
| 4.2.2 光刻工艺的摸索 | 第48-61页 |
| 4.2.2.1 功能电阻工艺探索 | 第49-55页 |
| 4.2.2.2 补偿电阻工艺探索 | 第55-57页 |
| 4.2.2.3 保护层工艺探索 | 第57-61页 |
| 4.3 传感器制备 | 第61-66页 |
| 4.3.1 功能电阻的制作 | 第61-63页 |
| 4.3.2 补偿电阻的制作 | 第63-65页 |
| 4.3.3 制作保护层 | 第65-66页 |
| 4.4 测试 | 第66-73页 |
| 4.5 本章小结 | 第73-74页 |
| 第五章 结论 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第81-82页 |
