| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第7-23页 |
| 1.1 引言 | 第7-8页 |
| 1.2 薄膜晶体管简介 | 第8-11页 |
| 1.2.1 单个薄膜晶体管的工作原理 | 第8页 |
| 1.2.2 薄膜晶体管的器件结构 | 第8-10页 |
| 1.2.3 薄膜晶体管特性重要参数 | 第10-11页 |
| 1.3 ZnO基薄膜晶体管 | 第11-20页 |
| 1.3.1 ZnO技术的发展及其基本性质 | 第11-12页 |
| 1.3.2 ZnO薄膜晶体管的发展 | 第12-14页 |
| 1.3.3 ZnO基非晶态氧化物半导体薄膜 | 第14-16页 |
| 1.3.4 ZnO基非晶态氧化物半导体薄膜晶体管 | 第16-20页 |
| 1.4 实验室原有的成果 | 第20-22页 |
| 1.5 本论文的主要内容 | 第22-23页 |
| 第二章 实验设备以及表征测试方法 | 第23-33页 |
| 2.1 样品的制备 | 第23-29页 |
| 2.1.1 Sol-Gel溶胶-凝胶法 | 第23-25页 |
| 2.1.2 关于Sol-gel制膜工艺的一些注意事项 | 第25-26页 |
| 2.1.3 器件的制备 | 第26-27页 |
| 2.1.4 器件制备过程中的一些注意事项 | 第27-29页 |
| 2.2 样品的表征手段 | 第29-33页 |
| 2.2.1 差热-热重分析仪(TG-DTA) | 第29-32页 |
| 2.2.2 器件的测试 | 第32-33页 |
| 第三章 ZnO基氧化物半导体薄膜的制备与表征 | 第33-42页 |
| 3.1 MIZO薄膜随不同Mg组分含量变化的影响 | 第33-39页 |
| 3.1.1 MIZO薄膜的制备 | 第33-34页 |
| 3.1.2 不同MIZO配比的薄膜的表征 | 第34-39页 |
| 3.3 不同反应温度对于MIZO薄膜的影响 | 第39-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 MIZO薄膜晶体管和肖特基源漏薄膜晶体管 | 第42-55页 |
| 4.1 MIZO薄膜晶体管 | 第42-45页 |
| 4.1.1 MIZO薄膜晶体管的制备 | 第42-43页 |
| 4.1.2 MIZO薄膜晶体管的器件性能 | 第43-45页 |
| 4.2 MIZO肖特基源漏薄膜晶体管 | 第45-53页 |
| 4.2.1 源栅晶体管 | 第45-48页 |
| 4.2.2 MIZO/Pt肖特基结的特性 | 第48-50页 |
| 4.2.3 肖特基源漏MIZO薄膜晶体管 | 第50-53页 |
| 4.3 本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 MIZO薄膜晶体管的退化性能研究 | 第55-66页 |
| 5.1 器件的退化 | 第55-58页 |
| 5.1.1 器件的退化原理 | 第55-56页 |
| 5.1.2 MIZO薄膜晶体管的退化及修复 | 第56-58页 |
| 5.2 有源层厚度调制器件性能的薄膜晶体管 | 第58-62页 |
| 5.3 薄膜晶体管的耐热测试 | 第62-64页 |
| 5.4 薄膜晶体管的疲劳测试 | 第64页 |
| 5.5 本章小结 | 第64-66页 |
| 第六章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 在校攻读硕士学位期间发表的工作 | 第74-75页 |