| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-9页 |
| 1 引言 | 第12-22页 |
| 1.1 研究背景 | 第12-14页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第14-17页 |
| 1.3 课题研究重点和难点 | 第17页 |
| 1.4 基本建模方法介绍 | 第17-20页 |
| 1.5 本文内容安排 | 第20-22页 |
| 2 基于Si MOSFET内核型SiC MOSFET PSpice建模 | 第22-40页 |
| 2.1 静态特性建模 | 第22-29页 |
| 2.1.1 SiC MOSFET内核MN建模 | 第23-24页 |
| 2.1.2 SiC MOSFET内部电阻建模 | 第24页 |
| 2.1.3 SiC MOSFET静态特性模型参数修正 | 第24-27页 |
| 2.1.4 静态特性仿真验证 | 第27-29页 |
| 2.2 动态特性建模 | 第29-38页 |
| 2.2.1 栅源电容C_(GS)建模 | 第29-30页 |
| 2.2.2 漏源电容C_(DS)建模 | 第30-31页 |
| 2.2.3 栅漏电容C_(GD)建模 | 第31-33页 |
| 2.2.4 体二极管D_N建模 | 第33-35页 |
| 2.2.5 动态特性仿真验证 | 第35-38页 |
| 2.3 本章小结 | 第38-40页 |
| 3 基于电压控制电流源型SiC MOSFET PSpice建模 | 第40-54页 |
| 3.1 SiC MOSFET单管PSpice建模 | 第40-47页 |
| 3.1.1 静态特性建模 | 第40-42页 |
| 3.1.2 静态特性仿真验证 | 第42-43页 |
| 3.1.3 动态特性建模 | 第43-45页 |
| 3.1.4 动态特性仿真验证 | 第45-47页 |
| 3.2 SiC MOSFET半桥模块PSpice建模 | 第47-52页 |
| 3.2.1 静态特性和动态特性建模 | 第47-49页 |
| 3.2.2 静态特性仿真验证 | 第49-50页 |
| 3.2.3 动态特性仿真验证 | 第50-52页 |
| 3.3 本章小结 | 第52-54页 |
| 4 SiC肖特基二极管PSpice建模 | 第54-64页 |
| 4.1 SiC肖特基二极管建模及参数提取 | 第54-62页 |
| 4.1.1 等效电路模型研究 | 第54-56页 |
| 4.1.2 模型参数提取 | 第56-58页 |
| 4.1.3 静态特性仿真验证 | 第58-61页 |
| 4.1.4 动态特性仿真验证 | 第61-62页 |
| 4.2 本章小结 | 第62-64页 |
| 5 SiC MOSFET以及肖特基二极管PSpice模型实验验证 | 第64-74页 |
| 5.1 SiC MOSFET单管PSpice模型动态特性验证 | 第64-68页 |
| 5.2 SiC MOSFET半桥模块PSpice模型动态特性验证 | 第68-70页 |
| 5.3 SiC肖特基二极管PSpice模型动态特性验证 | 第70-71页 |
| 5.4 本章小结 | 第71-74页 |
| 6 结论 | 第74-76页 |
| 6.1 全文总结 | 第74-75页 |
| 6.2 全文展望 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第80-84页 |
| 学位论文数据集 | 第84页 |
