| 吉林大学博士学位论文原创性声明 | 第3-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-49页 |
| 1.1 氮化硼的性质 | 第10-29页 |
| 1.1.1 六角氮化硼(hBN)的结构、性质、应用及研究现状 | 第10-15页 |
| 1.1.2 菱面体氮化硼(rBN) | 第15页 |
| 1.1.3 六方氮化硼(wBN) | 第15-16页 |
| 1.1.4 立方氮化硼(cBN) | 第16-28页 |
| 1.1.5 正交晶氮化硼(o-BN) | 第28-29页 |
| 1.2 氮化硼各相间的关系 | 第29-31页 |
| 1.3 BN 薄膜的表征 | 第31-40页 |
| 1.3.1 红外光谱 | 第31-34页 |
| 1.3.2 拉曼光谱 | 第34-35页 |
| 1.3.3 X-射线衍射 | 第35-38页 |
| 1.3.4 光电子能谱(XPS) | 第38-39页 |
| 1.3.5 扫描电镜(SEM) | 第39页 |
| 1.3.6 原子力显微镜(AFM) | 第39页 |
| 1.3.7 场发射特性测试 | 第39-40页 |
| 1.4 场发射研究的发展状况与场发射理论 | 第40-47页 |
| 1.4.1 场发射的发展状况 | 第40-42页 |
| 1.4.2 FN 理论 | 第42-47页 |
| 1.5 本论文的选题与主要研究内容 | 第47-49页 |
| 第二章 jet-RF-PEPLD 沉积系统与o-BN 薄膜的制备与表征 | 第49-73页 |
| 2.1 jet-RF-PEPLD 薄膜沉积技术与沉积系统 | 第49-59页 |
| 2.1.1 jet-RF-PEPLD 薄膜沉积技术 | 第49-52页 |
| 2.1.2 等离子体的基本常数与特性 | 第52-56页 |
| 2.1.3 jet-RF-PEPLD 薄膜沉积系统 | 第56-59页 |
| 2.2 BN 薄膜的制备 | 第59-61页 |
| 2.2.1 基底表面处理 | 第59页 |
| 2.2.2 镀膜用靶的制做 | 第59-60页 |
| 2.2.3 氮化硼薄膜的沉积 | 第60-61页 |
| 2.3 在合适试验条件下沉积的o-BN 薄膜 | 第61-71页 |
| 2.3.1 BN 薄膜的X-射线衍射分析(XRD) | 第61-62页 |
| 2.3.2 BN 薄膜的红外光谱(FTIR) | 第62-65页 |
| 2.3.3 BN 薄膜的拉曼光谱 | 第65-66页 |
| 2.3.4 BN 薄膜的扫描电镜分析(SEM) | 第66页 |
| 2.3.5 BN 薄膜的原子力显微镜(AFM)照片 | 第66-67页 |
| 2.3.6 BN 薄膜的光电子能谱(XPS) | 第67-68页 |
| 2.3.7 o-BN 薄膜的紫外-可见光谱 | 第68-70页 |
| 2.3.8 o-BN 薄膜的硬度测试 | 第70-71页 |
| 2.4 本章小结 | 第71-73页 |
| 第三章 沉积参数对o-BN 薄膜生长的影响 | 第73-86页 |
| 3.1 靶材对o-BN 薄膜的制备的影响 | 第74-76页 |
| 3.1.1 试验 | 第74-75页 |
| 3.1.2 试验结果与讨论 | 第75-76页 |
| 3.1.3 结论 | 第76页 |
| 3.2 基底偏压对o-BN 薄膜的制备的影响 | 第76-79页 |
| 3.2.1 试验 | 第76-77页 |
| 3.2.2 试验结果与讨论 | 第77-78页 |
| 3.2.3 结论 | 第78-79页 |
| 3.3 基底温度对o-BN 薄膜的制备的影响 | 第79-81页 |
| 3.3.1 试验 | 第79-80页 |
| 3.3.2 试验结果与讨论 | 第80-81页 |
| 3.3.3 结论 | 第81页 |
| 3.4 沉积时间对o-BN 薄膜制备的影响 | 第81-83页 |
| 3.4.1 试验 | 第81-82页 |
| 3.4.2 试验结果与讨论 | 第82-83页 |
| 3.4.3 结论 | 第83页 |
| 3.5 靶-基距离对o-BN 薄膜制备的影响 | 第83-84页 |
| 3.5.1 试验 | 第83页 |
| 3.5.2 试验结果与讨论 | 第83-84页 |
| 3.5.3 结论 | 第84页 |
| 3.6 本章小结 | 第84-86页 |
| 第四章 RF 射频和激光等因素对o-BN 薄膜生长的影响 | 第86-102页 |
| 4.1 射频等离子体对o-BN 薄膜制备的影响 | 第86-88页 |
| 4.1.1 试验 | 第86-87页 |
| 4.1.2 试验结果与讨论 | 第87页 |
| 4.1.3 结论 | 第87-88页 |
| 4.2 RF 射频功率对o-BN 薄膜的制备的影响 | 第88-89页 |
| 4.2.1 试验 | 第88页 |
| 4.2.2 试验结果与讨论 | 第88-89页 |
| 4.2.3 结论 | 第89页 |
| 4.3 沉积气压对o-BN 薄膜制备的影响 | 第89-92页 |
| 4.3.1 试验 | 第89-90页 |
| 4.3.2 试验结果与讨论 | 第90-92页 |
| 4.3.3 结论 | 第92页 |
| 4.4 沉积气体成分对o-BN 薄膜制备的影响 | 第92-93页 |
| 4.4.1 试验 | 第92-93页 |
| 4.4.2 试验结果与讨论 | 第93页 |
| 4.4.3 结论 | 第93页 |
| 4.5 激光功率对o-BN 薄膜制备的影响 | 第93-95页 |
| 4.5.1 试验 | 第93-94页 |
| 4.5.2 试验结果与讨论 | 第94-95页 |
| 4.5.3 结论 | 第95页 |
| 4.6 激光等离子体羽方向对o-BN 薄膜制备的影响 | 第95-100页 |
| 4.6.1 试验 | 第95-96页 |
| 4.6.2 试验结果与讨论 | 第96-99页 |
| 4.6.3 结论 | 第99-100页 |
| 4.7 本章小结 | 第100-102页 |
| 第五章 o-BN 薄膜的场发射特性研究 | 第102-132页 |
| 5.1 场发射测试系统 | 第102-104页 |
| 5.2 场发射性能测试 | 第104页 |
| 5.3 不同厚度的o-BN 薄膜的场发射特性 | 第104-112页 |
| 5.3.1 试验 | 第104-106页 |
| 5.3.2 场发射结果与讨论 | 第106-111页 |
| 5.3.3 结论 | 第111-112页 |
| 5.4 不同工作气压的o-BN 薄膜的场发射特性 | 第112-118页 |
| 5.4.1 试验 | 第112-113页 |
| 5.4.2 场发射结果与讨论 | 第113-117页 |
| 6.4.3 结论 | 第117-118页 |
| 5.5 RF 射频等离子体对o-BN 薄膜的场发射特性的影响 | 第118-123页 |
| 5.5.1 试验 | 第118-119页 |
| 5.5.2 场发射结果与讨论 | 第119-123页 |
| 5.5.3 结论 | 第123页 |
| 5.6 不同射频功率的BN 薄膜的场发射特性 | 第123-130页 |
| 5.6.1 试验 | 第123-125页 |
| 5.6.2 场发射结果与讨论 | 第125-129页 |
| 5.6.3 结论 | 第129-130页 |
| 5.7 本章小结 | 第130-132页 |
| 第六章 o-BN 薄膜的内应力研究及生长机理探讨 | 第132-143页 |
| 6.1 o-BN 薄膜的内应力研究 | 第132-134页 |
| 6.1.1 内应力引起的o-BN 相的红外吸收峰位漂移 | 第132-133页 |
| 6.1.2 内应力的产生 | 第133-134页 |
| 6.2 o-BN 薄膜的生长机理探讨 | 第134-141页 |
| 6.2.1 o-BN 薄膜的层状生长研究 | 第135-139页 |
| 6.2.2 o-BN 薄膜的生长机制探讨 | 第139-141页 |
| 6.3 本章小结 | 第141-143页 |
| 结论 | 第143-147页 |
| 参考文献 | 第147-169页 |
| 攻博期间发表的学术论文 | 第169-171页 |
| 致谢 | 第171-172页 |
| 附:中英文摘要 | 第172-183页 |
