| 中文摘要 | 第3-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 LDMOS器件的发展和研究现状 | 第9-10页 |
| 1.2 RESURF技术 | 第10-16页 |
| 1.2.1 Single RESURF | 第10-13页 |
| 1.2.2 Double RESURF | 第13-14页 |
| 1.2.3 Triple RESURF | 第14-16页 |
| 1.2.4 RESURF技术的发展现状 | 第16页 |
| 1.3 本文的研究内容 | 第16-18页 |
| 2 部分复合埋氧层SOI高压器件 | 第18-34页 |
| 2.1 P-CBL SOI LDMOS结构 | 第18-19页 |
| 2.2 耐压机理 | 第19-20页 |
| 2.3 P-CBL SOI LDMOS器件电特性研究 | 第20-32页 |
| 2.3.1 击穿特性研究 | 第21-26页 |
| 2.3.2 比导通电阻和自热效应特性研究 | 第26-28页 |
| 2.3.3 结构参数对器件电特性的影响 | 第28-32页 |
| 2.4 工艺流程设计 | 第32页 |
| 2.5 本章小结 | 第32-34页 |
| 3 界面变掺杂SOI高压器件 | 第34-48页 |
| 3.1 LVID SOI LDMOS结构 | 第34-36页 |
| 3.2 耐压机理 | 第36-37页 |
| 3.3 LVID SOI LDMOS器件电特性研究 | 第37-46页 |
| 3.3.1 击穿特性研究 | 第38-42页 |
| 3.3.2 比导通电阻特性研究 | 第42-43页 |
| 3.3.3 结构参数对器件电特性的影响 | 第43-46页 |
| 3.4 工艺流程设计 | 第46页 |
| 3.5 本章小结 | 第46-48页 |
| 4 总结与展望 | 第48-50页 |
| 4.1 总结 | 第48-49页 |
| 4.2 展望 | 第49-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 附录 | 第55页 |
| A. 作者在攻读学位期间发表的论文 | 第55页 |
| B. 作者在攻读学位期间申报的发明专利 | 第55页 |