InGaN/GaN多量子阱的制备及物性研究
| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 GaN基材料的晶体结构和基本性质 | 第9-13页 |
| 1.2.1 GaN的晶体结构 | 第9-11页 |
| 1.2.2 GaN的基本性质 | 第11-13页 |
| 1.3 GaN基LED概述 | 第13-19页 |
| 1.3.1 GaN基LED发展历史 | 第13-14页 |
| 1.3.2 GaN基LED外延结构 | 第14-16页 |
| 1.3.3 GaN基LED相关理论基础 | 第16-17页 |
| 1.3.4 目前GaN基LED存在的主要问题 | 第17-19页 |
| 1.4 本课题的选题意义与研究内容 | 第19-21页 |
| 1.4.1 本课题的选题意义 | 第19页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第19-21页 |
| 第二章 MOCVD生长系统和GaN相关的测试设备 | 第21-29页 |
| 2.1 引言 | 第21页 |
| 2.2 外延材料的制备方法 | 第21-24页 |
| 2.2.1 材料制备方法 | 第21-22页 |
| 2.2.2 MOCVD系统结构 | 第22-23页 |
| 2.2.3 MOCVD生长原理 | 第23-24页 |
| 2.3 实验测试设备 | 第24-28页 |
| 2.3.1 激光原位监测系统 | 第24-25页 |
| 2.3.2 高分辨X射线衍射仪 | 第25-26页 |
| 2.3.3 原子力显微镜 | 第26-27页 |
| 2.3.4 荧光光谱仪 | 第27-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 非故意掺杂GaN层厚度对波长均匀性的影响 | 第29-43页 |
| 3.1. 引言 | 第29页 |
| 3.2. 翘曲机制分析 | 第29-31页 |
| 3.2.1 翘曲的产生 | 第29-30页 |
| 3.2.2 翘曲的形成原因 | 第30-31页 |
| 3.3. 实验样品制备 | 第31-33页 |
| 3.4. 样品测试分析 | 第33-40页 |
| 3.4.1 实验条件验证 | 第33-34页 |
| 3.4.2 晶体质量分析 | 第34-35页 |
| 3.4.3 光学性能分析 | 第35-36页 |
| 3.4.4 激光原位监测分析 | 第36-39页 |
| 3.4.6 波长均匀性分析 | 第39-40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-43页 |
| 第四章 TMIn流量对蓝光LED外延薄膜的影响 | 第43-57页 |
| 4.1. 引言 | 第43页 |
| 4.2. 样品制备 | 第43-44页 |
| 4.3 实验分析与讨论 | 第44-55页 |
| 4.3.1 合金组分分析 | 第44-46页 |
| 4.3.2 结晶质量分析 | 第46-47页 |
| 4.3.3 表面形貌分析 | 第47-49页 |
| 4.3.4 PL谱的功率依赖性分析 | 第49-53页 |
| 4.3.5 PL谱的温度依赖性分析 | 第53-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 结论与展望 | 第57-59页 |
| 5.1 结论 | 第57-58页 |
| 5.2 展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-69页 |
| 攻读硕士学位期间发表的科研成果 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71页 |
