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低维碳纳米材料的电子性质和催化性质的研究

摘要第7-9页
Abstract第9-10页
第一章 绪论第11-19页
    1.1 低维碳纳米材料简介第11-13页
        1.1.1 富勒烯第11-12页
        1.1.2 碳纳米管第12-13页
        1.1.3 石墨烯第13页
    1.2 低维碳纳米材料研究现状第13-16页
        1.2.1 电子性质的研究第13-15页
        1.2.2 催化性质的研究第15-16页
    1.3 本论文的主要研究内容第16-19页
第二章 理论计算基础第19-27页
    2.1 密度泛函理论第19-24页
        2.1.1 绝热近似第19-21页
        2.1.2 Hohenberg-Kohn定理第21-22页
        2.1.3 局域密度近似理论第22-24页
    2.2 VASP软件包简介第24-27页
        2.2.1 计算功能第24页
        2.2.2 计算过程第24-25页
        2.2.3 计算结果第25-27页
第三章 二维石墨烯材料电子性质的调控第27-59页
    3.1 石墨烯电子性质介绍第27-28页
    3.2 计算方法第28-29页
    3.3 理论基础第29-32页
        3.3.1 能带折叠理论第29-30页
        3.3.2 简并扰动理论第30-31页
        3.3.3 单轴应力作用第31-32页
    3.4 结果和讨论第32-48页
        3.4.1 (p,3m)类矩形石墨烯超晶格第32-38页
        3.4.2 (p,3m±1)类矩形石墨烯超晶格第38-44页
        3.4.3 一般形状石墨烯超晶格第44-48页
    3.5 结论第48-49页
    3.6 硅烯材料的拓展研究第49-59页
        3.6.1 单轴应力对硅烯赝超晶格的能带调制第50-52页
        3.6.2 简并扰动对硅烯超晶格的能带调制第52-53页
        3.6.3 存在4重简并的(p,3m)类硅烯超晶格第53-57页
        3.6.4 (p,3m±1)类硅烯超晶格第57-58页
        3.6.5 硅烯电子性质调控总结第58-59页
第四章 一维碳纳米管电子性质的研究第59-67页
    4.1 碳纳米管电子性质介绍第59页
    4.2 计算方法第59-60页
    4.3 结果和讨论第60-65页
        4.3.1 碳纳米管中的能带折叠理论第60-61页
        4.3.2 碳纳米管中的弯曲效应第61-63页
        4.3.3 不同扰动对碳纳米管电子性质的调控第63-65页
    4.4 结论第65-67页
第五章 零维富勒烯催化性质的研究第67-73页
    5.1 富勒烯催化性质介绍第67页
    5.2 计算方法第67-68页
    5.3 结果和讨论第68-72页
        5.3.1 B、N单掺C_(60)团簇第68-69页
        5.3.2 B、N共掺C_(60)团簇第69-72页
    5.4 结论第72-73页
第六章 结论和展望第73-75页
参考文献第75-83页
致谢第83-85页
附录第85-86页

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