摘要 | 第7-9页 |
Abstract | 第9-10页 |
第一章 绪论 | 第11-19页 |
1.1 低维碳纳米材料简介 | 第11-13页 |
1.1.1 富勒烯 | 第11-12页 |
1.1.2 碳纳米管 | 第12-13页 |
1.1.3 石墨烯 | 第13页 |
1.2 低维碳纳米材料研究现状 | 第13-16页 |
1.2.1 电子性质的研究 | 第13-15页 |
1.2.2 催化性质的研究 | 第15-16页 |
1.3 本论文的主要研究内容 | 第16-19页 |
第二章 理论计算基础 | 第19-27页 |
2.1 密度泛函理论 | 第19-24页 |
2.1.1 绝热近似 | 第19-21页 |
2.1.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第21-22页 |
2.1.3 局域密度近似理论 | 第22-24页 |
2.2 VASP软件包简介 | 第24-27页 |
2.2.1 计算功能 | 第24页 |
2.2.2 计算过程 | 第24-25页 |
2.2.3 计算结果 | 第25-27页 |
第三章 二维石墨烯材料电子性质的调控 | 第27-59页 |
3.1 石墨烯电子性质介绍 | 第27-28页 |
3.2 计算方法 | 第28-29页 |
3.3 理论基础 | 第29-32页 |
3.3.1 能带折叠理论 | 第29-30页 |
3.3.2 简并扰动理论 | 第30-31页 |
3.3.3 单轴应力作用 | 第31-32页 |
3.4 结果和讨论 | 第32-48页 |
3.4.1 (p,3m)类矩形石墨烯超晶格 | 第32-38页 |
3.4.2 (p,3m±1)类矩形石墨烯超晶格 | 第38-44页 |
3.4.3 一般形状石墨烯超晶格 | 第44-48页 |
3.5 结论 | 第48-49页 |
3.6 硅烯材料的拓展研究 | 第49-59页 |
3.6.1 单轴应力对硅烯赝超晶格的能带调制 | 第50-52页 |
3.6.2 简并扰动对硅烯超晶格的能带调制 | 第52-53页 |
3.6.3 存在4重简并的(p,3m)类硅烯超晶格 | 第53-57页 |
3.6.4 (p,3m±1)类硅烯超晶格 | 第57-58页 |
3.6.5 硅烯电子性质调控总结 | 第58-59页 |
第四章 一维碳纳米管电子性质的研究 | 第59-67页 |
4.1 碳纳米管电子性质介绍 | 第59页 |
4.2 计算方法 | 第59-60页 |
4.3 结果和讨论 | 第60-65页 |
4.3.1 碳纳米管中的能带折叠理论 | 第60-61页 |
4.3.2 碳纳米管中的弯曲效应 | 第61-63页 |
4.3.3 不同扰动对碳纳米管电子性质的调控 | 第63-65页 |
4.4 结论 | 第65-67页 |
第五章 零维富勒烯催化性质的研究 | 第67-73页 |
5.1 富勒烯催化性质介绍 | 第67页 |
5.2 计算方法 | 第67-68页 |
5.3 结果和讨论 | 第68-72页 |
5.3.1 B、N单掺C_(60)团簇 | 第68-69页 |
5.3.2 B、N共掺C_(60)团簇 | 第69-72页 |
5.4 结论 | 第72-73页 |
第六章 结论和展望 | 第73-75页 |
参考文献 | 第75-83页 |
致谢 | 第83-85页 |
附录 | 第85-86页 |