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集成电路物理自损防护技术研究及实现

致谢第7-8页
摘要第8-9页
ABSTRACT第9-10页
第1章 引言第15-18页
    1.1 研究背景及意义第15页
    1.2 国内外研究现状第15-16页
    1.3 论文的结构安排第16-18页
第2章 物理攻击方式分析及物理防护技术第18-25页
    2.1 物理攻击方式第18-22页
        2.1.1 非侵入式攻击第18-20页
        2.1.2 侵入式攻击第20-21页
        2.1.3 半侵入式攻击第21-22页
    2.2 物理自损防护技术第22-24页
    2.3 本章小结第24-25页
第3章 抗温度错误注入攻击物理自损电路设计第25-71页
    3.1 抗温度错误注入攻击物理自损防护电路架构设计第25页
    3.2 子模块电路设计第25-70页
        3.2.1 带隙基准电路设计与仿真第26-44页
        3.2.2 比较器电路设计与仿真第44-59页
        3.2.3 电荷泵电路设计与仿真第59-69页
        3.2.4 检测电路第69-70页
    3.3 本章小结第70-71页
第4章 物理自损电路整体仿真第71-74页
    4.1 关闭模式仿真第71-72页
    4.2 开启模式仿真第72-73页
    4.3 本章小结第73-74页
第5章 总结与展望第74-76页
    5.1 论文工作总结第74页
    5.2 展望第74-76页
参考文献第76-79页
攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况第79页

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