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铁电场效应晶体管的保持性能与负电容效应研究

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-11页
第1章 绪论第11-40页
   ·铁电体及铁电薄膜材料第11-19页
     ·铁电体及其分类第11-12页
     ·铁电体的宏微观特征第12-15页
     ·铁电体的研究历史及现状第15-16页
     ·铁电薄膜材料及其基本物理特性第16-18页
     ·铁电薄膜材料的应用第18-19页
   ·铁电薄膜存储器第19-32页
     ·非易失性存储器第19-21页
     ·铁电薄膜存储器的基本结构第21-22页
     ·铁电薄膜存储器的工作原理第22-27页
     ·铁电薄膜存储器的应用前景第27-32页
   ·铁电薄膜存储器的研究现状及其存在的问题第32-37页
     ·铁电薄膜存储器的发展历程第32页
     ·铁电薄膜存储器的研究现状第32-36页
     ·铁电薄膜存储器存在的问题第36-37页
   ·本论文的研究意义和主要内容第37-40页
     ·本论文的研究意义第37页
     ·本论文的主要内容第37-40页
第2章 MFIS 结构电容的保持性能第40-55页
   ·引言第40-44页
   ·MFIS 结构电容保持性能模型第44-48页
     ·铁电薄膜极化保持模型第44-47页
     ·极化保持模型参数的确定第47-48页
   ·不同参数对 MFIS 结构电容保持性能的影响第48-54页
     ·铁电薄膜介电常数对保持性能的影响第48页
     ·铁电薄膜厚度对保持性能的影响第48-49页
     ·铁电-金属电极界面层厚度对保持性能的影响第49-50页
     ·铁电薄膜剩余极化强度对保持性能的影响第50页
     ·硅衬底掺杂浓度对保持性能的影响第50-54页
   ·本章小结第54-55页
第3章 基于铁电负电容效应的双栅 MFIS-FET 电学性能第55-65页
   ·引言第55-57页
   ·铁电薄膜负电容第57-58页
   ·NC-MFIS-FET 物理模型的建立第58-60页
     ·DG-NC-MFIS-FET 建模第58-60页
     ·模型参数的确定第60页
   ·DG-NC-MFIS-FET 电学性能的模拟第60-64页
     ·硅表面势与栅电压特性第60-62页
     ·栅电容与栅电压特性第62页
     ·转移特性第62-64页
   ·本章小结第64-65页
第4章 界面效应对负电容 FEFET 电学性能的影响第65-73页
   ·引言第65-66页
   ·铁电-金属电极界面层模型第66-68页
   ·铁电-金属电极界面层 DG-NC-FEFET 物理模型的建立第68-69页
   ·界面效应对 DG-NC-FEFET 电学性能的影响第69-72页
     ·界面效应对硅表面势的影响第69-70页
     ·界面效应对栅电容的影响第70-71页
     ·界面效应对转移特性的影响第71-72页
     ·界面效应对输出特性的影响第72页
   ·本章小结第72-73页
第5章 温度对双栅负电容 FEFET 电学性能的影响第73-81页
   ·引言第73-74页
   ·铁电薄膜负电容的温度依赖特性第74-75页
   ·双栅负电容 FEFET 电学性能模型第75-76页
   ·温度对 DG-NC-FEFET 电学性能的影响第76-80页
     ·温度对硅表面势的影响第76-78页
     ·温度对栅电容的影响第78-79页
     ·温度对转移特性的影响第79页
     ·温度对输出特性的影响第79-80页
   ·本章小结第80-81页
第6章 环栅负电容铁电场效应晶体管的电学性能第81-89页
   ·引言第81-82页
   ·环栅负电容铁电场效应晶体管模型的建立第82-85页
   ·环栅负电容铁电场效应晶体管电学性能的模拟第85-88页
     ·硅表面势与栅电压特性第85-86页
     ·栅电容与栅电压特性第86-87页
     ·转移特性第87页
     ·输出特性第87-88页
   ·本章小结第88-89页
第7章 总结与展望第89-91页
   ·论文总结第89-90页
   ·工作展望第90-91页
参考文献第91-104页
致谢第104-105页
攻读博士期间论文发表情况第105页

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