摘要 | 第1-6页 |
ABSTRACT | 第6-11页 |
第1章 绪论 | 第11-40页 |
·铁电体及铁电薄膜材料 | 第11-19页 |
·铁电体及其分类 | 第11-12页 |
·铁电体的宏微观特征 | 第12-15页 |
·铁电体的研究历史及现状 | 第15-16页 |
·铁电薄膜材料及其基本物理特性 | 第16-18页 |
·铁电薄膜材料的应用 | 第18-19页 |
·铁电薄膜存储器 | 第19-32页 |
·非易失性存储器 | 第19-21页 |
·铁电薄膜存储器的基本结构 | 第21-22页 |
·铁电薄膜存储器的工作原理 | 第22-27页 |
·铁电薄膜存储器的应用前景 | 第27-32页 |
·铁电薄膜存储器的研究现状及其存在的问题 | 第32-37页 |
·铁电薄膜存储器的发展历程 | 第32页 |
·铁电薄膜存储器的研究现状 | 第32-36页 |
·铁电薄膜存储器存在的问题 | 第36-37页 |
·本论文的研究意义和主要内容 | 第37-40页 |
·本论文的研究意义 | 第37页 |
·本论文的主要内容 | 第37-40页 |
第2章 MFIS 结构电容的保持性能 | 第40-55页 |
·引言 | 第40-44页 |
·MFIS 结构电容保持性能模型 | 第44-48页 |
·铁电薄膜极化保持模型 | 第44-47页 |
·极化保持模型参数的确定 | 第47-48页 |
·不同参数对 MFIS 结构电容保持性能的影响 | 第48-54页 |
·铁电薄膜介电常数对保持性能的影响 | 第48页 |
·铁电薄膜厚度对保持性能的影响 | 第48-49页 |
·铁电-金属电极界面层厚度对保持性能的影响 | 第49-50页 |
·铁电薄膜剩余极化强度对保持性能的影响 | 第50页 |
·硅衬底掺杂浓度对保持性能的影响 | 第50-54页 |
·本章小结 | 第54-55页 |
第3章 基于铁电负电容效应的双栅 MFIS-FET 电学性能 | 第55-65页 |
·引言 | 第55-57页 |
·铁电薄膜负电容 | 第57-58页 |
·NC-MFIS-FET 物理模型的建立 | 第58-60页 |
·DG-NC-MFIS-FET 建模 | 第58-60页 |
·模型参数的确定 | 第60页 |
·DG-NC-MFIS-FET 电学性能的模拟 | 第60-64页 |
·硅表面势与栅电压特性 | 第60-62页 |
·栅电容与栅电压特性 | 第62页 |
·转移特性 | 第62-64页 |
·本章小结 | 第64-65页 |
第4章 界面效应对负电容 FEFET 电学性能的影响 | 第65-73页 |
·引言 | 第65-66页 |
·铁电-金属电极界面层模型 | 第66-68页 |
·铁电-金属电极界面层 DG-NC-FEFET 物理模型的建立 | 第68-69页 |
·界面效应对 DG-NC-FEFET 电学性能的影响 | 第69-72页 |
·界面效应对硅表面势的影响 | 第69-70页 |
·界面效应对栅电容的影响 | 第70-71页 |
·界面效应对转移特性的影响 | 第71-72页 |
·界面效应对输出特性的影响 | 第72页 |
·本章小结 | 第72-73页 |
第5章 温度对双栅负电容 FEFET 电学性能的影响 | 第73-81页 |
·引言 | 第73-74页 |
·铁电薄膜负电容的温度依赖特性 | 第74-75页 |
·双栅负电容 FEFET 电学性能模型 | 第75-76页 |
·温度对 DG-NC-FEFET 电学性能的影响 | 第76-80页 |
·温度对硅表面势的影响 | 第76-78页 |
·温度对栅电容的影响 | 第78-79页 |
·温度对转移特性的影响 | 第79页 |
·温度对输出特性的影响 | 第79-80页 |
·本章小结 | 第80-81页 |
第6章 环栅负电容铁电场效应晶体管的电学性能 | 第81-89页 |
·引言 | 第81-82页 |
·环栅负电容铁电场效应晶体管模型的建立 | 第82-85页 |
·环栅负电容铁电场效应晶体管电学性能的模拟 | 第85-88页 |
·硅表面势与栅电压特性 | 第85-86页 |
·栅电容与栅电压特性 | 第86-87页 |
·转移特性 | 第87页 |
·输出特性 | 第87-88页 |
·本章小结 | 第88-89页 |
第7章 总结与展望 | 第89-91页 |
·论文总结 | 第89-90页 |
·工作展望 | 第90-91页 |
参考文献 | 第91-104页 |
致谢 | 第104-105页 |
攻读博士期间论文发表情况 | 第105页 |