典型场效应器件电荷控制模型研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| ·研究背景 | 第10-11页 |
| ·紧凑建模与表面势模型 | 第10页 |
| ·极具潜力的 GaN 基器件 | 第10-11页 |
| ·国内外研究进展 | 第11-14页 |
| ·表面势模型的实用化 | 第11-12页 |
| ·GaN 材料与 AlGaN/GaN 异质结 | 第12-13页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT 的发展 | 第13-14页 |
| ·当前研究中存在的问题 | 第14-17页 |
| ·MOS 器件表面势模型 | 第14-15页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结器件阈值电压模型 | 第15-17页 |
| ·本文工作简介 | 第17-18页 |
| 第二章 界面电荷分布计算 | 第18-34页 |
| ·半经典统计方法 | 第18-21页 |
| ·热平衡电荷分布 | 第18-20页 |
| ·表面空间电荷区的电荷分布 | 第20-21页 |
| ·考虑量子效应 | 第21-28页 |
| ·2DEG 量子态 | 第21-25页 |
| ·三角势井近似 | 第25-27页 |
| ·变分法 | 第27-28页 |
| ·基于微扰法的自洽求解 | 第28-34页 |
| 第三章 MOS 结构电荷控制模型 | 第34-44页 |
| ·两种电荷控制模型 | 第34-37页 |
| ·阈值电压模型 | 第34-36页 |
| ·表面势模型 | 第36-37页 |
| ·考虑简并效应的表面势方程 | 第37-44页 |
| 第四章 AlGaN/GaN 异质结电荷控制模型 | 第44-68页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结器件特性 | 第44-48页 |
| ·器件基本结构 | 第44-45页 |
| ·AlGaN/GaN 异质结极化机制 | 第45-48页 |
| ·电荷控制模型 | 第48-58页 |
| ·阈值电压 | 第48-51页 |
| ·费米能级解析化 | 第51-58页 |
| ·考虑温度变量的输出特性特性 | 第58-63页 |
| ·电子漂移速度 | 第58-61页 |
| ·基于线性电荷控制模型的输出模型 | 第61-63页 |
| ·自热效应对输出特性的影响 | 第63-68页 |
| ·两种基底的自热效应 | 第63-66页 |
| ·自热效应的抑制 | 第66-68页 |
| 第五章 结束语 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-79页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第79-80页 |
