| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-20页 |
| ·SOI 技术发展概况 | 第11-13页 |
| ·辐射环境与抗辐射技术 | 第13-18页 |
| ·本文的主要工作 | 第18-20页 |
| 第二章 SOI CMOS 器件物理和工艺 | 第20-53页 |
| ·SOI MOS 器件物理 | 第20-32页 |
| ·SOI CMOS 器件工艺 | 第32-43页 |
| ·SOI 器件模型 | 第43-52页 |
| ·小结 | 第52-53页 |
| 第三章 SOI CMOS 器件电离总剂量辐射特性和数值仿真 | 第53-68页 |
| ·SOI CMOS 器件电离总剂量辐射效应和数值仿真 | 第53-58页 |
| ·SOI CMOS 器件总剂量加固工艺技术 | 第58-61页 |
| ·SOI CMOS 器件电离总剂量辐射特性 | 第61-66页 |
| ·小结 | 第66-68页 |
| 第四章 SOI 高压CMOS 器件电离总剂量辐射特性 | 第68-85页 |
| ·SOI 高压器件物理与工艺 | 第69-77页 |
| ·SOI 高压器件电离总剂量辐射效应 | 第77-78页 |
| ·SOI 高压器件电离总剂量辐射特性 | 第78-83页 |
| ·小结 | 第83-85页 |
| 第五章 SOI SONOS EEPROM 器件电离总剂量辐射特性 | 第85-110页 |
| ·SOI SONOS EEPROM 器件物理与工艺 | 第85-99页 |
| ·SOI SONOS EEPROM 器件电离总剂量辐射效应 | 第99-102页 |
| ·SOI SONOS EEPROM 器件电离总剂量辐射特性 | 第102-108页 |
| ·小结 | 第108-110页 |
| 第六章 总结 | 第110-112页 |
| 致谢 | 第112-113页 |
| 参考文献 | 第113-119页 |
| 作者简介、在读期间发表的论文及获奖情况 | 第119-121页 |
