高压功率器件结构设计及其静电保护
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·功率半导体器件的发展与现状 | 第7-8页 |
| ·静电保护介绍 | 第8-9页 |
| ·集成电路工艺和器件模拟的发展 | 第9-10页 |
| ·本论文的工作 | 第10-11页 |
| 第二章 器件物理模型与TCAD工具介绍 | 第11-22页 |
| ·TCAD发展历程 | 第11-12页 |
| ·TCAD工具Sentaurus介绍 | 第12页 |
| ·Sentaurus工艺工具与物理模型 | 第12-15页 |
| ·工艺仿真工具DIOS | 第12-13页 |
| ·刻蚀 | 第13页 |
| ·注入 | 第13-15页 |
| ·器件模拟模型 | 第15-19页 |
| ·电离模型 | 第16页 |
| ·迁移率模型 | 第16-18页 |
| ·产生复合模型 | 第18-19页 |
| ·热性能 | 第19-21页 |
| ·热容 | 第19-20页 |
| ·热电功率 | 第20-21页 |
| ·TCAD物理模型小结 | 第21-22页 |
| 第三章 功率器件设计 | 第22-39页 |
| ·功率器件简介 | 第22-24页 |
| ·开关转换电路VDMOS管的设计 | 第24-34页 |
| ·功率MOS的I-V特性分析 | 第24-26页 |
| ·功率VDMOS的阈值电压与导通电阻 | 第26-29页 |
| ·140V VDMOS设计 | 第29-30页 |
| ·VDMOS仿真结果 | 第30-32页 |
| ·VDMOS重要电学参数 | 第32-34页 |
| ·CMOS工艺电路中LDMOS管的设计 | 第34-38页 |
| ·P型LDMOS的设计 | 第35-36页 |
| ·N型LDMOS的设计 | 第36-38页 |
| ·小结 | 第38-39页 |
| 第四章 高压器件的静电保护设计 | 第39-64页 |
| ·引言 | 第39页 |
| ·静电放电的模式以及工业测试标准 | 第39-45页 |
| ·人体模型 | 第40-42页 |
| ·机器放电模式 | 第42-43页 |
| ·元件放电模型 | 第43-45页 |
| ·其它测试方式 | 第45页 |
| ·静电放电的测试 | 第45-48页 |
| ·I/O Pin的静电放电测试 | 第45-46页 |
| ·Pin-to-Pin的静电放电测试 | 第46-47页 |
| ·VDD-to-VSS的静电放电测试 | 第47-48页 |
| ·ESD保护的物理原理分析 | 第48-53页 |
| ·电学非稳定性分析 | 第48页 |
| ·电热非稳定性分析 | 第48-53页 |
| ·保护电路与保护器件 | 第53-62页 |
| ·生产中保护措施的选用 | 第53-54页 |
| ·保护元件分类 | 第54-62页 |
| ·小结 | 第62-64页 |
| 第五章 总结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
