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铁磁薄膜图形化单元磁特性的微磁学研究

摘要第1-7页
ABSTRACT第7-12页
第一章 前言第12-21页
   ·研究目的与意义第12-13页
   ·国内外研究进展第13-19页
     ·微磁学计算方法研究现状第14-15页
     ·微磁学计算在磁记录中的应用第15-17页
     ·微磁学计算在应力方面的应用第17-18页
     ·微磁学计算在其他方面的应用第18-19页
   ·选题依据及研究内容第19-21页
     ·选题依据第19-20页
     ·论文工作的主要内容第20-21页
第二章 微磁学基本理论与数值求解方法第21-50页
   ·微磁学概述第21页
   ·微磁学基本能量公式第21-26页
     ·交换能第22页
     ·磁晶各向异性能第22-23页
     ·退磁能第23-24页
     ·外磁场能第24-25页
     ·磁应力能第25-26页
   ·布朗静态方程与磁化强度运动方程第26-29页
   ·能量最小化的基本处理方法与数值微磁学第29-31页
     ·迭代终止判断标准第29页
     ·寻找局部极小值点第29-31页
     ·数值微磁学第31页
   ·体系能量的有限差分计算方法及模型第31-38页
     ·有限差分思想第31-32页
     ·体系能量的有限差分表达式第32-35页
     ·快速傅立叶变换方法计算退磁场第35-37页
     ·有限差分形式下的等效场第37-38页
   ·数值求解微磁学方程第38-47页
     ·共轭梯度法求解微磁学多元函数方程第38-42页
     ·数值求解磁化强度运动方程第42-44页
     ·OOMMF微磁学模拟软件简介第44-47页
   ·磁滞回线的Stoner-Wohlfarth(S-W)模型第47-48页
   ·本章小结第48-50页
第三章 MRAM存储单元的微磁学设计与实现第50-78页
   ·引言第50-51页
   ·矩形单元的模拟第51-54页
     ·模拟模型及参数第51-52页
     ·模拟结果第52-54页
   ·菱形单元的模拟第54-64页
     ·模型建立第55页
     ·菱形单元的自发磁化状态第55-58页
     ·菱形单元的剩磁状态第58-60页
     ·菱形单元的反磁化过程第60-64页
   ·MRAM结构优化设计研究第64-73页
     ·电流磁场模型与分布模拟第64-68页
     ·字/位线参数对菱形单元反磁化过程的影响第68-73页
   ·图形化菱形单元的实验研究第73-77页
     ·实验与分析方法第73-74页
     ·实验结果第74-77页
   ·本章小结第77-78页
第四章 图形化单元中应力与磁矩的相互作用第78-115页
   ·概述第78-79页
   ·应力各向异性的等效模型第79-81页
     ·模型的建立第79-80页
     ·等效各向异性大小的求解第80-81页
     ·等效各向异性方向的求解第81页
   ·单轴磁各向异性单元的磁化过程第81-100页
     ·矩形图形化单元的磁化过程第82-93页
     ·椭圆形图形化单元第93-100页
   ·随机局域各向异性单元磁化过程的模拟第100-108页
     ·矩形图形化单元第101-105页
     ·圆形图形化单元第105-108页
   ·应力对磁矩的调控第108-113页
     ·应力作用下矩形单元磁畴转动过程第109-112页
     ·应力作用下菱形单元磁畴转动过程第112-113页
   ·本章小结第113-115页
第五章 图形化单元的动态响应特性研究第115-128页
   ·概述第115-116页
   ·理论基础第116-117页
   ·结果与讨论第117-127页
     ·椭圆单元模式特点第118-124页
     ·菱形单元的模式特点第124-127页
   ·本章小结第127-128页
第六章 总结与展望第128-132页
   ·本论文研究总结第128-130页
   ·论文工作主要创新点第130页
   ·前景展望第130-132页
致谢第132-133页
参考文献第133-140页
攻博期间取得的研究成果第140-141页

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