| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-15页 |
| ·研究意义 | 第10-11页 |
| ·国内外研究现状和发展动态 | 第11-13页 |
| ·论文的主要内容 | 第13-15页 |
| 第二章 ESD基本概念 | 第15-26页 |
| ·静电放电的原因及危害 | 第15-16页 |
| ·ESD的几种常见模型 | 第16-22页 |
| ·人体模型 | 第16-18页 |
| ·机器模型 | 第18-19页 |
| ·带电器件模型 | 第19-22页 |
| ·电场感应模型 | 第22页 |
| ·ESD测试模式 | 第22-25页 |
| ·I/O Pin相对于V_(SS)和V_(DD)的ESD测试 | 第22-23页 |
| ·Pin-to-Pin的ESD测试 | 第23-24页 |
| ·V_(DD)-to-V_(SS)的ESD测试 | 第24-25页 |
| ·ESD故障判断 | 第25-26页 |
| 第三章 ESD保护器件的分析与选取 | 第26-42页 |
| ·二极管(Diodes) | 第26-31页 |
| ·二极管正向偏置 | 第26-27页 |
| ·二极管反向偏置 | 第27-29页 |
| ·二极管在ESD保护电路中的应用 | 第29-31页 |
| ·栅接地的MOS(Grounded-Gate MOS) | 第31-36页 |
| ·GGNMOS的结构和工作原理 | 第31-36页 |
| ·影响GGNMOS性能参数的因素 | 第36页 |
| ·可控硅整流器(Silicon-controlled rectifiers,SCR) | 第36-41页 |
| ·SCR的结构和工作原理 | 第36-40页 |
| ·SCR的闩锁效应及解决方法 | 第40-41页 |
| ·三种器件的性能比较及ESD保护器件的选取 | 第41-42页 |
| 第四章 ESD保护电路设计 | 第42-60页 |
| ·ESD保护电路设计概念 | 第42-43页 |
| ·ESD保护电路的性能指标 | 第43-47页 |
| ·健壮度(Robustness) | 第43页 |
| ·有效度(Effectiveness) | 第43-46页 |
| ·健壮度和有效度的区别 | 第43-46页 |
| ·提高有效度的方法 | 第46页 |
| ·速度(Speed) | 第46页 |
| ·透明度(Transparency) | 第46-47页 |
| ·ESD保护电路的分类设计 | 第47-54页 |
| ·输入级ESD保护电路 | 第47-51页 |
| ·输出级ESD保护电路 | 第51-52页 |
| ·V_(DD)-to-V_(SS)的ESD保护电路 | 第52-53页 |
| ·数字时钟端口的ESD保护电路 | 第53-54页 |
| ·全芯片ESD保护电路及ESD电流的泄放路径 | 第54-60页 |
| ·全芯片ESD保护电路 | 第54-56页 |
| ·ESD电流的泄放路径 | 第56-60页 |
| 第五章 仿真验证与版图设计 | 第60-72页 |
| ·输入级ESD保护单元 | 第60-66页 |
| ·输出级ESD保护单元 | 第66-70页 |
| ·V_(DD)-to-V_(SS)的ESD保护单元 | 第70页 |
| ·数字时钟端口的ESD保护单元 | 第70页 |
| ·ESD保护器件仿真小结 | 第70-72页 |
| 第六章 结论 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-76页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第76页 |
