自旋电子器件的参数检测和关键材料研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-17页 |
| ·自旋电子学的概念 | 第7-8页 |
| ·自旋电子学中主要的物理效应 | 第8-10页 |
| ·巨磁电阻效应(GMR) | 第8-9页 |
| ·自旋相关隧道效应(SDT) | 第9页 |
| ·场致磁效应 | 第9-10页 |
| ·应用开发的进展情况 | 第10-15页 |
| ·磁传感器 | 第10-11页 |
| ·利用巨磁电阻效应的随机存储器（MRAM） | 第11-13页 |
| ·磁三端器件 | 第13-15页 |
| ·本学科主要研究内容 | 第15-16页 |
| ·本章小节 | 第16-17页 |
| 第二章 半导体自旋电子学主要的研究内容与进展 | 第17-23页 |
| ·自旋注入 | 第18-20页 |
| ·欧姆接触自旋注入 | 第19页 |
| ·隧道结自旋注入 | 第19-20页 |
| ·热电子注入 | 第20页 |
| ·自旋传输与控制 | 第20-21页 |
| ·自旋检测 | 第21页 |
| ·本章小节 | 第21-23页 |
| 第三章 自旋电子学关键性能参数测量研究 | 第23-29页 |
| ·电学方法 | 第23页 |
| ·光学方法 | 第23-26页 |
| ·自旋发光二极管测量法 | 第23-25页 |
| ·量子阱饱和吸收光谱法 | 第25-26页 |
| ·自旋试验中使用的其他方法 | 第26-28页 |
| ·本章小节 | 第28-29页 |
| 第四章自旋磁性材料概论 | 第29-38页 |
| ·自旋磁性材料的分类与特点 | 第29-30页 |
| ·稀磁半导体材料概述 | 第30-34页 |
| ·GaN基稀磁半导体材料 | 第34-37页 |
| ·本章小节 | 第37-38页 |
| 第五章GaN基稀磁半导体材料制备及检测研究 | 第38-46页 |
| ·国外GaN基稀磁半导体材料制备概况 | 第38-39页 |
| ·GaN基稀磁半导体材料制备方案研究 | 第39-41页 |
| ·MOCVD法生长GaN工艺研究 | 第39-40页 |
| ·Mn和Cr离子注入GaN工艺分析 | 第40-41页 |
| ·Mn和Cr离子注入GaN工艺设计 | 第41-44页 |
| ·衬底的清洗 | 第41-42页 |
| ·离子注入实验设计 | 第42-43页 |
| ·离子注入退火实验设计 | 第43-44页 |
| ·GaN基稀磁半导体材料检测设计 | 第44页 |
| ·X射线衍射仪（XRD） | 第44页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第44页 |
| ·超导量子干涉仪（SQUID） | 第44页 |
| ·CV法和Hall效应测试 | 第44页 |
| ·本章小节 | 第44-46页 |
| 结论 | 第46-47页 |
| 致谢 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-52页 |
| 攻读硕士期间研究成果 | 第52页 |
