Si离子注入后B在退火过程中析出模型的研究

第一章 引言	第1-13页
·集成电路制造技术的发展趋势	第9页
·工艺模拟的重要性	第9-10页
·工艺模拟软件的特点	第10-12页
·小结	第12-13页
第二章 掺杂工艺	第13-27页
·杂质在半导体中的扩散	第13-17页
·扩散原理	第13-14页
·理论分布与实际分布的差异	第14-17页
·小结	第17页
·离子注入	第17-21页
·离子注入原理	第18页
·注入射程和杂质分布	第18-20页
·沟道效应	第20-21页
·注入损伤与退火	第21-24页
·注入损伤	第21-23页
·退火	第23-24页
·浅结的形成	第24-26页
·小结	第26-27页
第三章 二次缺陷对杂质分布的作用	第27-43页
·二次缺陷	第27-30页
·RP缺陷	第27-28页
·EOR 缺陷	第28-30页
·Clamshell 缺陷	第30页
·杂质的增速扩散和不活性杂质	第30-37页
·几个重要的模型	第37-41页
·小结	第41-43页
第四章 RP缺陷的演化过程对硼杂质分布的影响	第43-59页
·RP缺陷的形成	第43-44页
·RP缺陷在退火过程中的变化	第44-48页
·RP缺陷对间隙原子的束缚能	第48-49页
·RP缺陷对硼分布的影响	第49-58页
·硼杂质析出到 RP缺陷	第53-54页
·析出模型的模拟结果	第54-58页
·小结	第58-59页
结论	第59-60页
参考文献	第60-64页
致谢	第64-65页
附录	第65-70页
个人简历	第70页