| 内容提要 | 第1-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-19页 |
| §1.1 SOI技术的发展概况 | 第6-9页 |
| §1.2 SOI材料的制备方法 | 第9-12页 |
| §1.2.1 注氧隔离技术(SIMOX) | 第10页 |
| §1.2.2 ITOX—提高SIMOX材料质量的新工艺 | 第10-11页 |
| §1.2.3 Smart—cut技术 | 第11页 |
| §1.2.4 等离子体浸没式注入技术 | 第11-12页 |
| §1.3 SOI光波导器件 | 第12-14页 |
| §1.4 光子射频移相器的应用及进展 | 第14-16页 |
| 参考文献 | 第16-19页 |
| 第二章 SOI集成光波导耦合器 | 第19-47页 |
| §2.1 硅集成光学技术 | 第19-23页 |
| §2.1.1 硅材料的性质 | 第19-21页 |
| §2.1.2.基于SOI材料的硅集成光学技术 | 第21-22页 |
| §2.1.3 基于SOI材料实现射频移相器的技术选择 | 第22-23页 |
| §2.2 SOI光波导的数值模拟 | 第23-30页 |
| §2.2.1 时域有限差分方法(FDTD) | 第23-28页 |
| §2.2.2 二维BPM方法 | 第28-30页 |
| §2.3 SOI光波导的设计 | 第30-32页 |
| §2.4 SOI弯曲波导的研究 | 第32-35页 |
| §2.5 SOI集成光波导耦合器的设计 | 第35-41页 |
| §2.5.1 SOI集成光波导耦合器简介 | 第35-36页 |
| §2.5.2 "Y"分支SOI波导耦合器的设计 | 第36-38页 |
| §2.5.3 SOI光波导损耗分析与改进 | 第38-41页 |
| §2.6 小结 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-47页 |
| 第三章 SOI光子射频移相器延时线的研究 | 第47-68页 |
| §3.1 SOI波导延时线版图的设计 | 第49-51页 |
| §3.2 SOI波导延时线版图的改进 | 第51-53页 |
| §3.3 SOI光波导关键工艺-光刻 | 第53-55页 |
| §3.5 Si的刻蚀技术 | 第55-64页 |
| §3.5.1 湿法刻蚀技术 | 第55-58页 |
| §3.5.2 硅的ICP干法刻蚀 | 第58-64页 |
| §3.6 小结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 第四章 结论 | 第68-69页 |
| 摘要 | 第69-70页 |
| Abstract | 第70-71页 |