| 内容提要 | 第1-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-20页 |
| ·红外探测器 | 第7-8页 |
| ·红外探测器的发展历史 | 第8-10页 |
| ·探测器的种类 | 第10-14页 |
| ·光电导探测器 | 第11-12页 |
| ·光伏探测器 | 第12-13页 |
| ·两种探测器比较 | 第13-14页 |
| ·红外探测器材料 | 第14-18页 |
| ·HgCdTe | 第14-15页 |
| ·超晶格材料 | 第15-18页 |
| ·本论文主要研究内容 | 第18-20页 |
| 第二章 红外探测器的性能参数 | 第20-34页 |
| ·红外探测器的性能参数 | 第20-24页 |
| ·噪声机制 | 第24-29页 |
| ·俄歇复合两种基本形式AM-7 和AM-1 | 第29-32页 |
| ·AM-7 和AM-1 复合机理 | 第29-31页 |
| ·截止波长10μm 轻、重能带劈裂值变化趋势 | 第31-32页 |
| ·截止波长10ΜM 材料结构 | 第32-34页 |
| 第三章INAS/GASBⅡ型超晶格材料基本参数及MOCVD 技术 | 第34-43页 |
| ·INAS 和GASB 晶体结构基本参数 | 第34-38页 |
| ·晶体结构 | 第34-35页 |
| ·基本参数 | 第35-38页 |
| ·INAS/GASB 超晶格的能带结构特点 | 第38-40页 |
| ·MOCVD 技术 | 第40-43页 |
| 第四章INAS/GASB-Ⅱ型超晶格的生长及表面形貌分析 | 第43-67页 |
| ·XG2-1 型MOCVD 装置 | 第43-47页 |
| ·系统结构 | 第44-47页 |
| ·装置的性能与特征 | 第47页 |
| ·MOCVD 法生长INAS/GASBⅡ型超晶格 | 第47-52页 |
| ·样品的AFM 分析 | 第52-62页 |
| ·原子力显微镜（AFM）简介 | 第52-53页 |
| ·样品的原子力显微镜图 | 第53-62页 |
| ·X 射线衍射 | 第62-67页 |
| ·X 射线简介 | 第62-63页 |
| ·样品的X 射线衍射测量 | 第63-67页 |
| 第五章 结论 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 中文摘要 | 第73-76页 |
| ABSTRACT | 第76-80页 |
| 攻读硕士期间发表论文情况 | 第80-81页 |
| 致谢 | 第81页 |