摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
致谢 | 第8-15页 |
第一章 绪论 | 第15-23页 |
·器件的微型化和纳米科技的发展 | 第15-16页 |
·制造工艺的瓶颈 | 第15-16页 |
·纳米科技的发展 | 第16页 |
·介观体系 | 第16-18页 |
·介观物理 | 第16页 |
·介观体系的定义 | 第16-17页 |
·介观体系的输运特性 | 第17-18页 |
·分子电子学 | 第18-21页 |
·分子器件的发展 | 第18-19页 |
·分子导体的实验方法 | 第19-21页 |
·理论基础 | 第21-22页 |
·研究的意义 | 第22-23页 |
第二章 理论计算方法 | 第23-41页 |
·分子体系的理论分析思路 | 第23页 |
·理论基础 | 第23-29页 |
·分子体系 | 第23-25页 |
·Born-Oppenheimer 近似 | 第25页 |
·求解定态薛定谔方程的微扰方法 | 第25-26页 |
·变分原理与薛定谔方程 | 第26-27页 |
·单电子薛定谔方程的变分方法 | 第27-28页 |
·能量量的表示式 | 第28-29页 |
·HARTREE-FOCK 方法 | 第29-32页 |
·Hartree-Fock 方法 | 第29-31页 |
·Hartree-Fock 方程的自洽解法 | 第31-32页 |
·密度泛函理论 | 第32-35页 |
·Hohenberg-Kohn 定理 | 第32-33页 |
·Kohn-Sham 方法 | 第33-35页 |
·计算中的基函数 | 第35-37页 |
·Slater 型轨道STO 基 | 第35-36页 |
·Gauss 原子轨道GTO 基 | 第36页 |
·最小基组 | 第36页 |
·分裂价键基组 | 第36-37页 |
·极化函数 | 第37页 |
·弥散函数 | 第37页 |
·交换关联势 | 第37-41页 |
·局域密度近似(LDA) | 第37-38页 |
·广义梯度近似(GGA) | 第38-41页 |
第三章 密度泛函计算软件 | 第41-46页 |
·ATK 的发展 | 第41-42页 |
·SIESTA | 第41页 |
·TranSIESTA | 第41页 |
·TranSIESTAC | 第41-42页 |
·ATK 和VNL | 第42-43页 |
·ATK 的理论计算功能 | 第42页 |
·VNL 功能 | 第42-43页 |
·其他计算软件 | 第43-46页 |
·ADF | 第43页 |
·Molpro | 第43-44页 |
·VASP | 第44页 |
·Gaussian | 第44页 |
·Material Studio | 第44页 |
·WIEN | 第44-46页 |
第四章 XC_6H_4X 分子输运性质的理论计算 | 第46-63页 |
·XC_6H_4X 分子的构造 | 第46-49页 |
·XC_6H_4X 分子的建立 | 第46-47页 |
·XC_6H_4X 分子结构的优化 | 第47-49页 |
·X 原子在钴(001)面的位置 | 第49-52页 |
·钴电极的选取 | 第49-51页 |
·X 原子在钴电极表面的位置 | 第51-52页 |
·X 原子与钴(001)电极的连接距离 | 第52-59页 |
·空位 | 第52-53页 |
·桥位 | 第53-55页 |
·顶位 | 第55-56页 |
·空位LDA 近似和GGA 近似的结果比较 | 第56-57页 |
·空位自旋极化X 原子与钴电极的距离 | 第57-59页 |
·非极化情况下两电极系统CO-XC_6H_4X-CO 的输运性质 | 第59-63页 |
·两电极系统Co-XC_6H_4X-Co | 第59页 |
·Co-XC_6H_4X-Co 的态密度分析 | 第59-60页 |
·Co-XC_6H_4X-Co 的透射系数分析 | 第60-63页 |
第五章 总结与展望 | 第63-65页 |
·论文总结 | 第63页 |
·XC_6H_4X 分子的建立 | 第63页 |
·X 原子与钴(001)电极的位置和连接距离 | 第63页 |
·两电极系统Co-XC_6H_4X-Co 的输运特性 | 第63页 |
·论文展望 | 第63-65页 |
·自旋输运 | 第64页 |
·半导体电极 | 第64-65页 |
参考文献 | 第65-67页 |
攻读硕士学位期间发表的论文 | 第67-68页 |