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XC6H4X分子输运性质的第一性原理研究

摘要第1-6页
Abstract第6-8页
致谢第8-15页
第一章 绪论第15-23页
   ·器件的微型化和纳米科技的发展第15-16页
     ·制造工艺的瓶颈第15-16页
     ·纳米科技的发展第16页
   ·介观体系第16-18页
     ·介观物理第16页
     ·介观体系的定义第16-17页
     ·介观体系的输运特性第17-18页
   ·分子电子学第18-21页
     ·分子器件的发展第18-19页
     ·分子导体的实验方法第19-21页
   ·理论基础第21-22页
   ·研究的意义第22-23页
第二章 理论计算方法第23-41页
   ·分子体系的理论分析思路第23页
   ·理论基础第23-29页
     ·分子体系第23-25页
     ·Born-Oppenheimer 近似第25页
     ·求解定态薛定谔方程的微扰方法第25-26页
     ·变分原理与薛定谔方程第26-27页
     ·单电子薛定谔方程的变分方法第27-28页
     ·能量量的表示式第28-29页
   ·HARTREE-FOCK 方法第29-32页
     ·Hartree-Fock 方法第29-31页
     ·Hartree-Fock 方程的自洽解法第31-32页
   ·密度泛函理论第32-35页
     ·Hohenberg-Kohn 定理第32-33页
     ·Kohn-Sham 方法第33-35页
   ·计算中的基函数第35-37页
     ·Slater 型轨道STO 基第35-36页
     ·Gauss 原子轨道GTO 基第36页
     ·最小基组第36页
     ·分裂价键基组第36-37页
     ·极化函数第37页
     ·弥散函数第37页
   ·交换关联势第37-41页
     ·局域密度近似(LDA)第37-38页
     ·广义梯度近似(GGA)第38-41页
第三章 密度泛函计算软件第41-46页
   ·ATK 的发展第41-42页
     ·SIESTA第41页
     ·TranSIESTA第41页
     ·TranSIESTAC第41-42页
   ·ATK 和VNL第42-43页
     ·ATK 的理论计算功能第42页
     ·VNL 功能第42-43页
   ·其他计算软件第43-46页
     ·ADF第43页
     ·Molpro第43-44页
     ·VASP第44页
     ·Gaussian第44页
     ·Material Studio第44页
     ·WIEN第44-46页
第四章 XC_6H_4X 分子输运性质的理论计算第46-63页
   ·XC_6H_4X 分子的构造第46-49页
     ·XC_6H_4X 分子的建立第46-47页
     ·XC_6H_4X 分子结构的优化第47-49页
   ·X 原子在钴(001)面的位置第49-52页
     ·钴电极的选取第49-51页
     ·X 原子在钴电极表面的位置第51-52页
   ·X 原子与钴(001)电极的连接距离第52-59页
     ·空位第52-53页
     ·桥位第53-55页
     ·顶位第55-56页
     ·空位LDA 近似和GGA 近似的结果比较第56-57页
     ·空位自旋极化X 原子与钴电极的距离第57-59页
   ·非极化情况下两电极系统CO-XC_6H_4X-CO 的输运性质第59-63页
     ·两电极系统Co-XC_6H_4X-Co第59页
     ·Co-XC_6H_4X-Co 的态密度分析第59-60页
     ·Co-XC_6H_4X-Co 的透射系数分析第60-63页
第五章 总结与展望第63-65页
   ·论文总结第63页
     ·XC_6H_4X 分子的建立第63页
     ·X 原子与钴(001)电极的位置和连接距离第63页
     ·两电极系统Co-XC_6H_4X-Co 的输运特性第63页
   ·论文展望第63-65页
     ·自旋输运第64页
     ·半导体电极第64-65页
参考文献第65-67页
攻读硕士学位期间发表的论文第67-68页

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