| 中文摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-11页 |
| ·微电子纳米技术的发展及其面临的挑战 | 第8-10页 |
| ·本文构架 | 第10-11页 |
| 第二章 小尺寸MOSFET | 第11-18页 |
| ·MOSFET 的基本结构及输出特性 | 第11-14页 |
| ·器件尺寸缩小对工艺技术的挑战 | 第14页 |
| ·小尺寸器件中栅漏电流的增加 | 第14-16页 |
| ·载流子输运 | 第16-17页 |
| ·量子效应影响阈值电压 | 第17页 |
| ·本章小结 | 第17-18页 |
| 第三章 计算方法 | 第18-28页 |
| ·隧穿电流的计算 | 第18-26页 |
| ·隧穿电流的分析模型 | 第18-23页 |
| ·隧穿电流的数值计算方法 | 第23-26页 |
| ·蒙特卡罗方法 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第四章 小尺寸MOS 器件性能研究 | 第28-54页 |
| ·计算氧空位对小尺寸MOSFET 栅漏电流的影响 | 第28-39页 |
| ·氧化层中的氧空位 | 第28-29页 |
| ·存在氧空位的氧化层中栅漏电流的计算 | 第29-32页 |
| ·随机分布的氧空位对栅漏电流的影响的结果分析 | 第32-39页 |
| ·本节小结 | 第39页 |
| ·Si 能带的非抛物线性对MOSFET 电子输运的影响 | 第39-46页 |
| ·能带的非抛物线性 | 第40-41页 |
| ·非抛物线因子 | 第41-42页 |
| ·用蒙特卡罗方法模拟的结果及分析 | 第42-45页 |
| ·本节小结 | 第45-46页 |
| ·考虑量子效应的二维短沟道阈值电压分析模型 | 第46-53页 |
| ·阈值电压解析模型 | 第47-49页 |
| ·结果与分析 | 第49-52页 |
| ·本节小结 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 结论 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 攻读学位期间公开发表的论文 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |