| 中文摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-22页 |
| ·金属诱导横向结晶（MILC）多晶硅薄膜晶体管（TFT）技术简介 | 第7-14页 |
| ·MILC多晶硅工艺技术 | 第7-8页 |
| ·MILC TFT典型工艺流程 | 第8-10页 |
| ·MILC多晶硅TFT的可靠性研究现状 | 第10-14页 |
| ·PMOSFET 的退化机制介绍 | 第14-16页 |
| ·负偏置温度不稳定性（NBTI）引起的可靠性问题简介 | 第14-15页 |
| ·NBTI的研究回顾 | 第15-16页 |
| ·TFT中NBTI效应研究论文统计及本文的主要工作和论文结构安排 | 第16-18页 |
| 参考文献 | 第18-22页 |
| 第二章 p型MILC多晶硅TFT直流应力下的退化研究 | 第22-47页 |
| ·器件表征及电应力条件 | 第22-24页 |
| ·-V_g下的纯NBTI 退化 | 第24-27页 |
| ·高-V_d下的电子注入效应 | 第27-30页 |
| ·NBTI和电子注入机制的混合效应 | 第30-33页 |
| ·NBTI和热载流子（HC）机制的混合效应 | 第33-36页 |
| ·p型MILC TFT中NBTI退化的主导地位 | 第36-37页 |
| ·NBTI中晶粒间界缺陷态的分析 | 第37-39页 |
| ·本文模型与前人TFT研究工作的对比分析 | 第39-40页 |
| ·NBTI应力后I_(OFF)的异常退化现象 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42页 |
| 参考文献 | 第42-47页 |
| 第三章 氢化对n型MILC多晶硅TFT退化的影响 | 第47-58页 |
| ·氢化对TFT直流HC应力下输出特性的影响 | 第47-52页 |
| ·氢化对TFT直流自加热应力下器件特性的影响 | 第52-55页 |
| ·输出特性的异常负阻效应 | 第55-56页 |
| ·本章小结 | 第56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 第四章 结论及下一步的工作 | 第58-60页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
