| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-28页 |
| ·引言 | 第12页 |
| ·GaN材料的晶体结构与性质 | 第12-15页 |
| ·GaN基材料的生长 | 第15-16页 |
| ·GaN材料键合与激光剥离技术的研究进展 | 第16-20页 |
| ·GaN与Si片的键合技术 | 第16-17页 |
| ·GaN基外延层膜的激光剥离 | 第17-18页 |
| ·GaN基LED激光剥离 | 第18-19页 |
| ·激光剥离技术在激光器中的应用 | 第19-20页 |
| ·材料表征 | 第20-23页 |
| ·X射线双晶衍射技术 | 第20-21页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第21-22页 |
| ·拉曼测试 | 第22-23页 |
| ·PL测试 | 第23页 |
| ·本论文工作的内容和创新 | 第23-25页 |
| 参考文献 | 第25-28页 |
| 第二章 降低气压快速激光剥离GaN基外延膜的理论分析 | 第28-35页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·GaN分解热力学分析:分解温度与压强的关系 | 第28-34页 |
| 参考文献 | 第34-35页 |
| 第三章 2英寸GaN LED外延膜的激光剥离及其衬底的重复利用 | 第35-49页 |
| ·引言 | 第35页 |
| ·2英寸GaN LED外延膜激光剥离的实验过程 | 第35-43页 |
| ·清洗 | 第36页 |
| ·激光剥离 | 第36-39页 |
| ·剥离前后的GaN性质 | 第39-43页 |
| ·在剥离后的衬底上重新生长的GaN LED性质 | 第43-47页 |
| 参考文献 | 第47-49页 |
| 第四章 GaN快速激光剥离的研究 | 第49-70页 |
| ·引言 | 第49页 |
| ·利用金属作为中间层实现GaN外延薄膜的转移 | 第49-56页 |
| ·键合金属的选择 | 第49-50页 |
| ·试验过程 | 第50-52页 |
| ·结果与分析 | 第52-56页 |
| ·利用加热衬底方式进行激光剥离的研究 | 第56-68页 |
| ·理论分析 | 第56-60页 |
| ·试验过程 | 第60-62页 |
| ·试验结果 | 第62-68页 |
| ·激光过程中需要注意的方面 | 第68页 |
| ·小结 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-70页 |
| 第五章 结论 | 第70-71页 |
| 硕士期间发表的论文目录 | 第71-72页 |
| 研究生期间获得的奖励 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |