| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-29页 |
| ·前言 | 第9-10页 |
| ·半导体发光材料及LED发展历史 | 第10-11页 |
| ·LED的类型及原理 | 第11-15页 |
| ·有源区结构 | 第11-14页 |
| ·电流扩展模式 | 第14-15页 |
| ·发光波长 | 第15页 |
| ·LED的优点及应用 | 第15-19页 |
| ·LED的优点 | 第15-16页 |
| ·LED的应用 | 第16-19页 |
| ·影响GaN基LED性能提高的因素 | 第19-20页 |
| ·提高光提取效率的方法 | 第20-25页 |
| ·本文行文安排 | 第25-27页 |
| 参考文献 | 第27-29页 |
| 第二章 模拟方法与程序流程 | 第29-38页 |
| ·蒙特卡罗光子追踪方法 | 第30-32页 |
| ·蒙特卡罗方法 | 第30-31页 |
| ·光子追踪方法 | 第31-32页 |
| ·模拟流程 | 第32-34页 |
| ·编程工具 | 第34-36页 |
| 参考文献 | 第36-38页 |
| 第三章 不同结构参数氮化稼基发光二极管芯片的出光模拟 | 第38-47页 |
| ·模型构建 | 第38-39页 |
| ·封装材料折射率对光提取效率的影响 | 第39-41页 |
| ·蓝宝石衬底厚度对光提取效率的影响 | 第41-42页 |
| ·透明导电薄膜吸收系数对光提取效率的影响 | 第42-44页 |
| ·反射镜与电极反射率对光提取效率的影响 | 第44-45页 |
| ·结论 | 第45-46页 |
| 参考文献 | 第46-47页 |
| 第四章 垂直结构LED的电极沟槽结构设计 | 第47-58页 |
| ·模型构建 | 第48-50页 |
| ·U-GaN层对光提取效率的影响 | 第50-51页 |
| ·不同结构芯片光提取效率比较 | 第51-53页 |
| ·光提取效率分布图分析 | 第53-55页 |
| ·沟槽深度的影响 | 第55页 |
| ·结论 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-58页 |
| 第五章 总结与展望 | 第58-60页 |
| 本人硕士期间发表和完成的文章 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |