| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| ·SiGe材料的基本性质 | 第11-13页 |
| ·SiGe弛豫衬底及SiGe/Si量子阱研究意义与进展 | 第13-17页 |
| ·本论文的主要工作 | 第17-18页 |
| 参考文献 | 第18-21页 |
| 第二章 SiGe/Si量子阱能带理论基础 | 第21-34页 |
| ·薄膜材料的临界厚度 | 第21-24页 |
| ·应变对能带结构的调制 | 第24-28页 |
| ·量子效应与波函数交叠 | 第28-31页 |
| ·本章小结 | 第31页 |
| 参考文献 | 第31-34页 |
| 第三章 Si基SiGe弛豫衬底的制备及表征 | 第34-65页 |
| ·Si基SiGe弛豫衬底的研究现状 | 第34-37页 |
| ·SiGe材料生长及表征方法 | 第37-42页 |
| ·Si基SiGe弛豫衬底的制备 | 第42-61页 |
| ·Si基SiGe弛豫衬底的制备方法 | 第43-46页 |
| ·缓冲层生长条件的优化 | 第46-58页 |
| ·Si基SiGe弛豫衬底的应变调控机理 | 第58-61页 |
| ·本章小结 | 第61页 |
| 参考文献 | 第61-65页 |
| 第四章 Si基SiGe弛豫衬底上量子阱的设计与性质 | 第65-83页 |
| ·量子阱材料的结构设计 | 第65-70页 |
| ·能带设计 | 第65-67页 |
| ·结构优化 | 第67-70页 |
| ·SiGe/Si量子阱材料的生长和性质 | 第70-80页 |
| ·SiGe/Si量子阱材料的生长 | 第70-73页 |
| ·SiGe/Si量子阱材料的光学性质 | 第73-80页 |
| ·本章小结 | 第80页 |
| 参考文献 | 第80-83页 |
| 第五章 总结与展望 | 第83-85页 |
| 附录:硕士期间论文发表及专利申请情况 | 第85-86页 |
| 致谢 | 第86页 |