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半导体器件噪声频域和时域分析的新方法研究

摘要第1-5页
Abstract第5-11页
第一章 绪论第11-25页
   ·研究的意义第11页
   ·研究的现状与问题第11-14页
     ·研究现状第11-13页
     ·存在的问题第13-14页
   ·解决的思路和方法第14-21页
     ·噪声采集第14页
     ·噪声模型第14-16页
     ·噪声分析的新方法第16-21页
   ·本文研究的主要内容第21-25页
第二章 半导体器件噪声的模型研究第25-39页
   ·半导体器件噪声的分类和机理第25-30页
     ·噪声的分类第25-27页
     ·热噪声的物理模型第27-28页
     ·散粒噪声的物理模型第28页
     ·G-R噪声的物理模型第28-29页
     ·1/f噪声的物理模型第29-30页
   ·1/f噪声的数值模拟第30-38页
     ·分数布朗运动模型及数值模拟方法第31-34页
     ·RTS叠加模型及数值模拟方法第34-38页
   ·小结第38-39页
第三章 噪声的功率谱分析和时间序列采集第39-53页
   ·噪声采集第39-42页
     ·DMA双缓冲技术第39-41页
     ·数据流盘技术第41-42页
   ·频谱参数的测量第42-44页
   ·频谱拟合第44-52页
     ·白噪声和1/f噪声的拟合第44-48页
     ·G-R噪声的拟合第48-52页
   ·小结第52-53页
第四章 噪声的子波分析方法第53-69页
   ·噪声与子波分析第53-55页
   ·子波极大模统计特性分析方法第55-60页
     ·子波极大模第55-56页
     ·1/f噪声的子波极大模统计特性第56-57页
     ·威布尔分布拟合第57-58页
     ·用于MOSFET器件1/f噪声分析第58-60页
   ·局部Lipschitz指数分析方法第60-62页
   ·平均Lipschitz指数分析方法第62-63页
   ·子波相似系数分析方法第63-65页
   ·多分形奇异谱分析方法第65-67页
   ·子波谱分析方法第67-68页
   ·小结第68-69页
第五章 噪声的高阶统计量分析方法第69-85页
   ·噪声与高阶累积量分析第69-73页
     ·高阶累积量分析概述第69-70页
     ·噪声与高阶统计量第70-71页
     ·各模拟噪声的双向干函数第71-73页
   ·新分析方法第73-79页
     ·Hinich检验第73页
     ·双相干系数平方和第73-74页
     ·四类典型模拟噪声信号的构造与验证第74-76页
     ·与偏度和峰度的对比第76-77页
     ·典型MOSFET噪声信号的验证第77-79页
   ·对nMOSFET噪声的分析第79-83页
     ·实验结果第79-80页
     ·讨论第80-83页
   ·小结第83-85页
第六章 噪声的复杂度分析方法第85-121页
   ·噪声与复杂度分析第85-87页
     ·关于复杂性的几个概念第85-87页
     ·噪声与复杂度分析第87页
   ·LZ复杂度分析方法第87-105页
     ·LZ复杂度分析方法的实现与改进第88-98页
     ·噪声的LZ复杂度分析第98-105页
   ·涨落复杂度分析方法第105-119页
     ·涨落复杂度分析方法的实现与改进第105-114页
     ·噪声的涨落复杂度分析第114-119页
   ·小结第119-121页
第七章 其他分析方法探索第121-135页
   ·相关积分分析方法第121-128页
     ·相空间重构第121-123页
     ·关联熵和关联维的定义、算法及特性第123-125页
     ·方法验证第125-128页
   ·Hurst指数分析第128-133页
     ·Hurst指数的由来第128-129页
     ·估计Hurst指数的常用方法第129-131页
     ·方法验证第131-133页
   ·小结第133-135页
第八章 噪声分析方法的工程实现第135-151页
   ·MATLAB与LabVIEW的集成第135-136页
   ·噪声测试分析系统软件部分的实现第136-143页
     ·噪声测试分析系统的硬件组成第138页
     ·噪声测试分析系统的软件组成第138-143页
   ·频率响应特性分析仪的实现第143-150页
     ·频响分析仪的系统结构第144-146页
     ·产品性能和技术指标第146-150页
   ·小结第150-151页
第九章 全文研究工作总结第151-155页
致谢第155-157页
参考文献第157-175页
研究成果第175-176页

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