摘要 | 第6-8页 |
abstract | 第8-9页 |
第一章 低维锗材料简介 | 第10-22页 |
1.1 前言 | 第10页 |
1.2 锗烯 | 第10-14页 |
1.2.1 锗烯简介 | 第10-11页 |
1.2.2 锗烯的基本性质 | 第11页 |
1.2.3 锗烯的制备 | 第11-13页 |
1.2.4 锗烯结构相变 | 第13-14页 |
1.3 锗团簇 | 第14-19页 |
1.3.1 锗团簇简介 | 第14-15页 |
1.3.2 锗团簇的基本结构和性质 | 第15-19页 |
1.4 锗材料的衬底选择 | 第19-22页 |
第二章 理论基础 | 第22-26页 |
2.1 吉布斯自由能(G) | 第22-23页 |
2.2 密度泛函理论 | 第23页 |
2.2.1 Born-Oppenheimer近似 | 第23页 |
2.2.2 局域密度近似 | 第23页 |
2.3 VASP软件包简介 | 第23-26页 |
第三章 锗团簇在Al(111)衬底上生长的可能性 | 第26-32页 |
3.1 前言 | 第26页 |
3.2 计算方法和模型 | 第26-27页 |
3.3 结果和讨论 | 第27-30页 |
3.3.1 团簇生长在铝衬底上 | 第27-29页 |
3.3.2 团簇在Al(111)衬底上形成的可能 | 第29-30页 |
3.4 本章结论 | 第30-32页 |
第四章 锗的二维材料生长在Al(111)衬底上 | 第32-46页 |
4.1 前言 | 第32页 |
4.2 实验结果 | 第32-35页 |
4.3 计算方法和模型 | 第35页 |
4.4 结果与讨论 | 第35-44页 |
4.5 本章结论 | 第44-46页 |
第五章 锗的二维材料生长在Ge和Al(111)近表面合金上 | 第46-62页 |
5.1 引言 | 第46页 |
5.2 计算方法和模型 | 第46-47页 |
5.3 结果与讨论 | 第47-60页 |
5.3.1 近表面合金的形成 | 第47-49页 |
5.3.2 近表面合金上生长二维锗材料 | 第49-60页 |
5.4 本章结论 | 第60-62页 |
第六章 Ge和Al(111)近表面合金上二维锗材料的性质 | 第62-70页 |
6.1 前言 | 第62页 |
6.2 计算方法和模型 | 第62-63页 |
6.3 结果与讨论 | 第63-67页 |
6.4 本章结论 | 第67-70页 |
第七章 结论与展望 | 第70-72页 |
参考文献 | 第72-80页 |
致谢 | 第80-82页 |
附录 | 第82-83页 |